[发明专利]化学气相淀积设备以及化学气相淀积方法中清洗履带的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种化学气相淀积（CVD）设备以及化学气相淀积方法中清洗履带的方法，具体地，涉及化学气相淀积中对积累在履带表面上的SiO₂进行清洗、去除的技术。

背景技术

化学气相淀积（CVD，Chemical Vapor Deposition）是将反应材料导入到反应腔体内，利用加热器、等离子、光等能量使气体发生化学反应，在圆片表面形成一层稳定的固态膜的工艺。半导体生产中，CVD工序主要用于制备各种薄膜、预掺杂等。

图1是表示现有技术的化学气相淀积设备的示意图。如图1所示，在该化学气相设备中，通过对腔体导入SiH₄和O₂，以使得在履带101载置的的圆片上淀积SiO₂。在履带101的下方设置有对履带101进行加热的加热块201。

这种常压CVD生长SiO₂膜或掺杂SiO₂膜是半导体器件制造过程中的一个重要工序，在较为先进的生产线上普遍采用下述两种方式对履带以及圆片上的沾污进行清洗：在常压CVD生长SiO₂膜作业结束后，采用对圆片进行纯水擦洗的方式来去除表面沾污的颗粒；加大设备清洗频度，使履带等装置上积累的颗粒控制在一定程度。

但是这样的现有技术存在以下的问题：（1）在生长SiO₂薄膜过程中，履带101表面不停地均匀积累SiO₂膜，达到一定厚度后，SiO₂膜会崩裂，溅于圆片及设备各处，圆片表面颗粒沾污多，用纯水擦洗圆片也未必能完全解决表面颗粒问题；（2）效率低，每作业40-60批圆片，设备就要进行清洗。

发明内容

鉴于上述问题，本发明旨在提供一种能够解决圆片表面颗粒沾污问题并能够提高设备效率的化学气相淀积设备以及化学气相淀积法中清洗履带的方法。

本发明的化学气相淀积设备，包括：腔体；将处理气体供给所述腔体的进气装置；将处理后的气体导出所述腔体的排气装置；移动载置被处理圆片的履带，其特征在于，还包括：

喷淋装置，对所述履带表面喷淋气化腐蚀液；

超声波清洗装置，利用超声波对所述履带表面进行清洗；

烘干装置，对所述履带表面进行烘干。

优选地，所述喷淋装置是喷淋气化HF的喷淋装置。

优选地，所述喷淋装置具备：一路引入HF酸的进气口和多个喷出汽化HF的出气口。

优选地，所述喷淋装置、所述超声波清洗装置、所述烘干装置按照履带的滚动方向依次设置。

优选地，所述喷淋装置设置在所述履带的上方，所述超声波清洗装置和所述烘干装置设置在所述履带的下方。

优选地，所述烘干装置利用灯丝对所述履带进行加热。

本发明的化学气相淀积法中清洗履带的方法，其特征在于，包括下述步骤：

对所述履带表面喷淋气化腐蚀液的喷淋步骤；

利用超声波对所述履带表面进行清洗的清洗步骤；

对所述履带表面进行烘干的烘干步骤。

优选地，在所述喷淋步骤中，喷淋气化HF。

优选地，在所述喷淋步骤中，通过多个出气口喷淋气化HF。

优选地，在所述烘干步骤中，利用灯丝对所述履带进行加热。

根据本发明的化学气相淀积设备以及本发明的化学气相淀积法中清洗履带的方法，能够有效地清除履带上积累的SiO₂，能够解决圆片表面颗粒问题，提高了圆片表面质量，而且还能够提高化学气相淀积设备的使用效率。

附图说明

图1是表示现有技术的化学气相淀积设备的示意图。

图2是表示本发明一实施方式的化学气相淀积设备的示意图。

图3是表示本发明的化学气相淀积设备中的喷淋装置的构造示意图。

具体实施方式

下面介绍的是本发明的多个实施例中的一些，旨在提供对本发明的基本了解。并不旨在确认本发明的关键或决定性的要素或限定所要保护的范围。

图2是表示本发明一实施方式的化学气相淀积设备的示意图。下面参照图2对本发明的化学气相淀积设备进行说明。