[发明专利]一种多量程集成压力传感器芯片

权利要求书

1. 一种多量程集成压力传感器芯片，其特征在于：包括硅衬底（1），在硅衬底（1）上设置有不同量程压力传感器，称为小量程传感器（6）和大量程传感器（7），每个传感器由腐蚀孔（2）、膜片（3）、应变电阻（4）构成；在膜片（3）上面设有四个互相对称的应变电阻（4），四个应变电阻通过导线连接成惠斯通电桥，将压力转换成电压输出；膜片（3）与硅衬底（1）相连并构成腔体（8），膜片（3）支撑边缘设置有腐蚀孔（2）。

2.根据权利要求1的一种多量程集成压力传感器芯片，其特征在于：在硅衬底（1）上设置两个或两个以上不同量程压力传感器。

3.根据权利要求1或2的一种多量程集成压力传感器芯片，其特征在于：膜片（3）为方形、圆形或长方形。

4.根据权利要求1或2的一种多量程集成压力传感器芯片，其特征在于：小量程传感器腔体（8）底部设置过载保护结构（5），过载保护结构（5）与膜片（3）之间有间隙。

5.根据权利要求4的一种多量程集成压力传感器芯片，其特征在于：过载保护结构（5）是截面为三角形的多晶硅过载保护结构。

6.根据权利要求1或2的一种多量程集成压力传感器芯片，其特征在于：不同量程压力传感器采用相同的膜厚和腔体高度，通过改变膜片的长宽设计不同量程传感器，膜片面积小的为大量程传感器（7），膜片面积大的为小量程传感器（6），腔体制作采用牺牲层技术。

7.根据权利要求1或2的一种多量程集成压力传感器芯片，其特征在于：应变电阻（4）为重掺杂多晶硅纳米薄膜。