[发明专利]沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种沉积氮化硅膜的方法，其特征在于，所述方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，所述平板式PECVD的带速为180~200cm/min，所述平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为1<n<5的整数，硅片依次通过所述平板式PECVD的腔室的2n条气路后沉积形成所述氮化硅膜，所述2n条气路中：

前（n-1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q₁且所述反应气体中各气体组分的体积比为a；

后（n+1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q₂且所述反应气体中各气体组分的体积比为b，所述Q₁和所述Q₂不相等，所述a和所述b不相等。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应气体中的气体组分为SiH₄和NH₃，所述前（n-1）条气路中，所述反应气体中SiH₄和NH₃的体积比a为1:1.2~1:2，且所述SiH₄的流量为180~250sccm；

所述后（n+1）条气路中，所述反应气体中SiH₄和NH₃的体积比b为1:3~1:4，且所述SiH₄的流量为90～130sccm。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述前（n-1）条气路中和所述后（n+1）条气路中，所述NH₃的流量均为300~450sccm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述平板式PECVD的腔室包括6条气路。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述平板式PECVD的腔室包括8条气路。

6.一种晶硅太阳能电池的制作方法，包括：制绒、扩散、刻蚀、沉积氮化硅膜、丝网印刷电极和烧结，其特征在于，所述制作方法采用权利要求1至5中任一项所述的方法沉积氮化硅膜。

7.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池采用权利要求6所述的制作方法制作而成。

8.根据权利要求7所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池中氮化硅膜为两层，位于内层的氮化硅膜的厚度为25~40nm，位于外层的氮化硅膜的厚度为45~60nm。