[发明专利]基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法

权利要求书

1.基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

）.ZnO纳米线阵列的制备：

1.1）将N型掺杂绝缘硅片依次在去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇中超声、洗净，并于60℃烘干备用；

1.2）将Zn(NO₃)₂、(CH₂)₆N₄和聚醚酰亚胺溶解在水中，配制成Zn(NO₃)₂的浓度为0.05mol/L 、(CH₂)₆N₄的浓度为0.05mol/L和聚醚酰亚胺的浓度为0.004~0.007 mol/L的前驱液，备用；

1.3）将Zn(CH₃CO₂)₂和HO(CH₂)₂NH₂溶解在乙二醇独甲醚中，Zn(CH₃CO₂)₂浓度为0.5mol/L和HO(CH₂)₂NH₂浓度为0.5mol/L的的晶种液，将得到的晶种液匀涂在步骤1.1处理过的N型掺杂绝缘硅片上并在350-450℃下退火30-45min，备用； 

1.4）将表面留有晶种层的N型掺杂绝缘硅片至于放有步骤1.2制备得到的前驱液的反应釜中，在90-95℃ 下密封生长10-12h，此步骤重复两次，得到生长有长度在4-6mm的ZnO纳米线阵列的绝缘硅片；

2）.基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建：

2.1）将生长有ZnO纳米线阵列的绝缘硅片的两端用HF酸进行腐蚀，洗去上面的氧化锌及硅的氧化物，露出下面N型掺杂硅片的部分；

2.2）在两端裸露出的掺杂硅片上点上银胶，连出铜导线分别作为FET的源极和漏极，栅极则由中间的ZnO纳米线阵列提供，得到基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管。