[发明专利]一种新型三结薄膜太阳能电池及其生产方法

权利要求书

1.一种新型三结薄膜太阳能电池，包括由下而上依次排列的玻璃基板、背电极钼层、多结电池单元、窗口层和减反层，所述减反层上设置有栅电极；

其特征在于：所述多结电池单元包括三结，由下而上依次为硒铟铜结、非晶锗硅结和非晶硅结，所述硒铟铜结包括由下而上依次排列的P型硒铟铜层和N型硫化镉层，所述非晶锗硅结包括由下而上依次排列的第一P型非晶硅层、本征非晶锗硅层和第一N型非晶硅层，所述非晶硅结包括由下而上依次排列的第二P型非晶硅层、本征非晶硅层和第二N型非晶硅层。

2.根据权利要求1所述的新型三结薄膜太阳能电池，其特征在于：所述P型硒铟铜层的厚度为2微米，所述N型硫化镉层的厚度为30～50纳米，所述第一P型非晶硅层的厚度为25～40纳米，所述本征非晶锗硅层的厚度为300～400纳米，所述第一N型非晶硅层的厚度为15～20纳米，所述第二P型非晶硅层的厚度为25～40纳米，所述本征非晶硅层的厚度为150～200纳米，所述第二N型非晶硅层的厚度为15～20纳米。

3.根据权利要求1所述的新型三结薄膜太阳能电池，其特征在于：所述窗口层为氧化锌窗口层，所述减反层为氟化镁层，所述栅电极为铝栅电极。

4.根据权利要求1所述的新型三结薄膜太阳能电池，其特征在于：所述玻璃基板的厚度为4毫米，所述背电极钼层的厚度为0.8～1微米。

5.一种如权利要求1所述的新型三结薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）选用玻璃基板，在玻璃基板上通过磁控溅射钼层的方法作为背电极，即为背电极钼层；（2）制作P型硒铟铜层：在背电极上，采用磁控溅射法，靶材选用铜和铟的合金靶材，然后采用真空硒化退火法制作P型硒铟铜层；制作N型硫化镉层：在P型硒铟铜层上，用真空蒸镀法制作N型硫化镉层；（3）在N型硫化镉层上采用等离子体增强化学气相沉积法由下而上依次制作第一P型非晶硅层、本征非晶锗硅层、第一N型非晶硅层、第二P型非晶硅层、本征非晶硅层和第二N型非晶硅层；（4）在第二N型非晶硅层上通过磁控溅射法制作窗口层，在窗口层上通过真空蒸镀法制作减反层；（5）在减反层上通过电子束热蒸发制作栅电极。

6.根据权利要求5所述的生产方法，其特征在于：所述步骤（2）中，铜和铟的比例为1.13﹕1；硒化温度为420℃，硒化时间为20分钟，硒源温度为200℃。

7.根据权利要求5所述的生产方法，其特征在于：所述步骤（2）中，用真空蒸镀法制作N型硫化镉层的温度为550℃。