[发明专利]飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法

权利要求书

1.利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序沉积制作磁性薄膜； 

（2）利用飞秒激光作为光源，通过计算机精确控制样品台的位置，对磁性薄膜进行无掩膜辐照，得磁敏感微结构单元。

2.根据权利要求1所述的利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于：衬底为单晶硅或玻璃；缓冲层和保护层根据磁性薄膜的结构和种类确定是否需要；磁性层由单层或多层膜组成，其中，单层膜为磁记录膜或磁致伸缩膜；多层膜为铁磁/反铁磁双层膜或自旋阀结构多层膜或自旋隧道结结构多层膜。

3.根据权利要求1所述的利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于：在第二步中样品台的移动速度为60～500μm/min。

4.根据权利要求1所述的利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于：飞秒激光的参数为：单脉冲能量5～50μJ；脉冲宽度90～150fs；波长为800nm；脉冲频率10～100Hz；在辐照时根据需要沿平行或垂直于磁性薄膜膜面方向施加0~500Oe的诱导磁场。

5.根据权利要求1所述的利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于：磁敏感微结构单元的形状为三角形、矩形、正六边形、圆形、椭圆形或其它给定图案。

6.根据权利要求1所述的利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于所述的磁性薄膜的制作方法是：利用高真空磁控溅射设备在经过清洗的单晶硅或玻璃衬底上沉积缓冲层、磁性层或保护层，其中，磁性层的生长条件为：背底真空5×10^-6Pa；溅射气压0.3～0.5Pa；溅射功率10～120W；氩气流量20sccm；基片温度室温～300℃。