[发明专利]半导体元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在例如工业用电机或汽车用电机的控制等中使用的半导体元件的制造方法。

背景技术

在专利文献1中公开了用研磨磨具对中央部进行研磨并且外周部保持厚的状态不变的晶片。研磨晶片中央部是为了使半导体元件成为所希望的厚度。使晶片外周部保持厚的状态不变是为了确保晶片的强度。

专利文献

专利文献1：日本特开2009-279661号公报；

专利文献2：日本特开2007-19379号公报。

若用研磨磨具对晶片进行研磨，则产生研磨屑。若在研磨屑夹在研磨磨具与晶片之间的状态下进行研磨，则存在晶片局部地产生缺损的情况。将该“缺损”称为“缺口”（chipping）。缺口成为晶片裂隙的起点或者成为药液等残留在晶片表面的原因。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制缺口的产生而对晶片进行研磨的半导体元件的制造方法。

本申请发明的半导体元件的制造方法的特征在于，具备：晶片研磨工序，利用旋转的研磨磨具，一边在已经形成的斜面和该研磨磨具之间设置有间隙的状态下沿着晶片外周部的内侧形成与该晶片的主面所成的角为75°以上且不足90°的斜面，一边在被该斜面包围的部分形成比该外周部薄的薄化部；在该薄化部形成半导体元件的工序。

根据本发明，一边将研磨屑排出到外部一边进行晶片的研磨，所以，能够抑制缺口的产生。

附图说明

图1是研磨前的晶片的剖面图。

图2是表示在晶片研磨装置的工作台上固定有晶片的图。

图3是从斜下方观察图2的研磨磨具的立体图。

图4是表示用晶片研磨装置对晶片进行研磨的图。

图5是表示研磨工序后的晶片的剖面图。

图6是图5的平面图。

图7是表示在薄化部形成了半导体元件的剖面图。

图8是表示比较例的半导体元件的制造方法的剖面图。

图9是表示用比较例的方法实施了研磨以及其后的处理的晶片的剖面图。

图10是图9的平面图。

图11是表示缺口的数量、斑痕的数量以及薄化部的厚度偏差的θ（晶片的主面和斜面所成的角）依赖性的图表。

实施方式

参照附图对本发明的实施方式的半导体元件的制造方法进行说明。图1是研磨前的晶片的剖面图。晶片10由例如以FZ法制成的硅形成。晶片10具有背面10a和表面10b。在表面10b形成例如晶体管或布线结构等的半导体元件结构。而且，使晶片的背面10a朝上，在晶片10的表面10b粘贴保护带12。

接着，将晶片10固定于晶片研磨装置的工作台。图2是表示在晶片研磨装置的工作台上固定了晶片的图。使保护带12吸附于工作台20，将晶片10固定于工作台20。晶片研磨装置在工作台20的上方具备研磨轮22以及固定在其上的研磨磨具24。对研磨磨具24的形状进行说明。图3是从斜下方观察图2的研磨磨具的立体图。研磨磨具24作为整体形成为环状。研磨磨具24具有角部24a和底面24b。

接着，实施研磨工序。图4是表示用晶片研磨装置对晶片进行研磨的图。在研磨工序中，例如，一边使工作台20在图4所示的方向旋转，一边使研磨轮22以及研磨磨具24在与工作台20相反的方向旋转。而且，使研磨磨具24与晶片10接触，对晶片10进行研磨。研磨磨具24交替地反复进行与图4的x-y平面平行的方向的移动和z方向的移动。利用该研磨，在晶片10上形成斜面25和薄化部26。但是，工作台20和研磨磨具24的旋转方向不一定需要是相反方向。

斜面25沿着晶片10外周部的内侧以与晶片的主面（称为背面10a，以下相同）所成的角为75°以上且不足90°的方式形成。在图4中，作为晶片10的主面和斜面25所成的角的例子，示出其是80°的情况。斜面25在已经形成了的斜面25和研磨磨具24之间设置有间隙的状态下在晶片10的厚度方向上依次形成。此时，研磨磨具24的角部24a主要形成斜面25。并且，在图4中示出由于研磨而产生的研磨屑29通过前述的间隙排出到外部的情况。

另一方面，薄化部26以比外周部薄的方式形成在被斜面25包围的部分。主要通过使研磨磨具24的底面24b与晶片进行面接触而形成薄化部26。薄化部26为平坦的面。薄化部26的厚度是例如60μm左右。