[发明专利]功率MOSFET电流传感结构和方法

权利要求书

1.一种功率金层-氧化物-半导体-场-效应-晶体管MOSFET，包括：

具有上表面和下表面的衬底；

形成在衬底中的主场效应晶体管MFET，具有多个MFET源区和延伸至上表面的MFET栅条，耦合至该多个MFET源区的上面的源极金属，和邻近下表面的漏接触以及漏区；

形成在衬底中的电流传感场效应晶体管SFET，具有多个SFET源区和延伸至上表面的SFET栅条，耦合至该多个SFET源区的上面的源极金属，和邻近下表面的漏接触以及漏区，其中该SFET横向嵌在该MFET内，但是通过缓冲区与MFET隔离；和

隔离栅条，在其上没有源区，所述隔离栅条位于缓冲区中且将MFET栅条电性耦合至SFET栅条，同时电性隔离MFET源区和SFET源区；

其中隔离栅条将SFET栅条耦合在一起，且将MFET栅条也耦合在一起，并且进一步将耦合的MFET栅条和耦合的SFET栅条互相连接。

2.如权利要求1所述的功率MOSFET，其中隔离栅条具有之字形平面布图结构，SFET栅条耦合至所述之字形隔离栅条的转折以及MFET栅条耦合至隔离栅条的弯折。

3.如权利要求2所述的功率MOSFET，其中隔离栅条的之字形平面布图结构具有锯齿形平面布图结构。

4.如权利要求2所述的功率MOSFET，其中隔离栅条的之字形平面布图结构具有错开的T形平面布图结构。

5.如权利要求3所述的功率MOSFET，其中通过隔离栅条将n个SFET栅条和n+1个MFET栅条互连。

6.如权利要求1所述的功率MOSFET，其中n个SFET栅条耦合至n+1 个MFET栅条。

7.如权利要求1所述的功率MOSFET，其中隔离栅条包括第一组n个隔离栅条与第二组n个隔离栅条；所述SFET栅条包括一组n个SFET栅条；所述MFET栅条包括n+1个MFET栅条并包括第一组n+1个MFET栅条和第二组n+1个MFET栅条；所述第一组隔离栅条将所述第一组MFET栅条耦合至所述一组n个SFET栅条的第一端，以及所述第二组隔离栅条将所述第二组MFET栅条耦合至所述一组n个SFET栅条的第二端。

8.如权利要求7所述的功率MOSFET，其中第一组n个隔离栅条和第二组n个隔离栅条的每一组都包含2n+1个隔离栅条连接。

9.如权利要求1所述的功率MOSFET，其中通过第一隔离栅条将第一MFET栅条耦合至n个SFET栅条中的第一个，且其中通过最后一个隔离栅条将最后一个MFET栅条耦合至n个SFET栅条中的最后一个。

10.如权利要求9所述的功率MOSFET，其中所述MOSFET进一步包含体区，在该体区中内嵌有第一隔离栅条，且进一步包含与邻近第一隔离栅条的外侧的体区相比具有更高掺杂浓度的区域，其中所述与邻近第一隔离栅条的外侧的体区相比具有更高掺杂浓度的区域在第一MFET栅条的外侧和第一SFET栅条的外侧之间。

11.如权利要求10所述的功率MOSFET，其中与体区相比具有更高掺杂浓度的区域具有超过邻近第一隔离栅条外侧的体区的掺杂浓度约20倍或更高的掺杂浓度，其中与体区相比具有更高掺杂浓度的区域在第一MFET栅条的外侧和第一SFET栅条的外侧之间。

12.如权利要求9所述的功率MOSFET，其中所述MOSFET进一步包含在其中内嵌有最后的隔离栅条的体区，且进一步包含与邻近最后的隔离栅条的外侧的体区相比具有更高掺杂浓度的区域，其中所述与邻近最后的隔离栅条的外侧的体区相比具有更高掺杂浓度的区域在最后的MFET栅条的外侧和最后的SFET栅条的外侧之间。