[发明专利]外延生长后埋层图形漂移量的测量方法

权利要求书

1.一种外延生长后埋层图形漂移量的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）利用光刻版A，在硅片上形成埋层图形；

（2）将所述有埋层图形的硅片进行退火处理，形成SiO₂层作为保护层；

（3）利用光刻版B，对所述有保护层的硅片进行光刻、刻蚀，将同一个埋层图形分为保护区域与未保护区域；

（4）生长一外延层；

（5）测量埋层图形未保护区域相对于埋层图形保护区域的位移数据，得到外延后埋层图形漂移量。

2.根据权利要求1所述的外延生长后埋层图形漂移量的测量方法，其特征在于：所述利用光刻版A，在硅片上形成埋层图形的步骤为：硅片RCA清洗；氧化，SiO₂层的厚度为1000±50nm；利用光刻版A进行光刻；刻蚀；RCA清洗；生长10-15nm的SiO₂层；Ａs注入，注入剂量4E15/cm²，能量100keV；去胶。

3.根据权利要求1所述的外延生长后埋层图形漂移量的测量方法，其特征在于：将所述有埋层图形的硅片进行退火处理，形成SiO₂层作为保护层的步骤为：RCA清洗；退火，退火为20分钟升温到1050℃，1050℃下退火1小时，氢气与氧气合成氧化处理55分钟，再升温到1200℃处理5小时，降温到850℃处理1小时10分钟，退火过程中形成400-500nm的SiO₂层，作为保护层。

4.根据权利要求1所述的外延生长后埋层图形漂移量的测量方法，其特征在于：利用光刻版B，对所述有保护层的硅片进行光刻、刻蚀，将同一个埋层图形分为保护区域与未保护区域的步骤为：

（1）RCA清洗；涂光刻胶。

（2）利用光刻版B，在所述有保护层的硅片上光刻出大小为1×1mm的窗口，窗口只覆盖同一埋层图形的部分区域，此窗口为保护区域，同一埋层图形上的没有被窗口覆盖的区域为未保护区域；

（3）刻蚀去除未保护区域的保护层；

（4）去除光刻胶。

5.根据权利要求1所述的外延生长后埋层图形漂移量的测量方法，其特征在于：所述生长一外延层的步骤为：RCA清洗；常规外延工艺，其中，生长温度1200℃，速率08-1.2μm/min，厚度1-30μm，电阻率0.5-50Ω·cm的N型外延层。

6.根据权利要求1所述的外延生长后埋层图形漂移量的测量方法，其特征在于：所测量埋层图形未保护区域相对于埋层图形保护区域的位移数据，得到外延后埋层图形漂移量的步骤为：使用带有测量功能的光学显微镜直接测量，或经显微镜拍照后进行测量，以埋层图形保护区域的位置为基准，测量出未保护区外延后图形相对于保护区区域的漂移量，即得到外延后埋层图形的漂移量。

7.根据权利要求1所述的外延生长后埋层图形漂移量的测量方法，其特征在于：所述光刻版A形成埋层图形，所述光刻版B将所述光刻版A形成的埋层图形分为保护区域与未保护区域两个区域。