[发明专利]一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法

权利要求书

1. 一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法，其特征在于：所述的方法步骤如下：

（1）抛光：将单晶硅片置于浓度为0.12-0.16kg/L的NaOH水溶液中抛光1-10min，然后经过盐酸酸洗，氢氟酸酸洗，水洗，甩干，形成双面抛光的单晶硅片；

（2）背面掩膜：在双面抛光的单晶硅片的背面采用PECVD法镀一层氮化硅保护膜，获得具有背面掩膜的抛光硅片；

（3）正面制绒：将具有背面掩膜的抛光硅片置于浓度为12-15g/L的NaOH水溶液中直接制绒12-18min，然后经过体积浓度为8%-12%的氢氟酸酸洗1min-3min减少氮化硅保护膜的厚度，获得背面残留一定厚度氮化硅保护膜的正面制绒的单晶硅片；

（4）扩散制PN结：对背面残留一定厚度氮化硅保护膜的正面制绒的单晶硅片的正面进行单面扩散，形成PN结，扩散方阻为70-80R_方；

（5）二次酸洗：步骤（4）形成PN结的单晶硅片直接进入体积浓度为6%-8%氢氟酸酸洗4min-5min；

（6）正面镀氮化硅膜：采用PECVD法在步骤（5）酸洗后的单晶硅片正面镀一层氮化硅减反膜；

（7）丝网印刷、烧结：在步骤（6）处理完的单晶硅片的正面、背面通过丝网印刷制电极，经过烧结形成背面抛光单晶硅电池。

2.根据权利要求1所述的一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法，其特征在于：步骤（1）中盐酸的体积浓度为8%-9%，盐酸酸洗1min-3min。

3.根据权利要求1所述的一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法，其特征在于：步骤（1）中氢氟酸的体积浓度为8%-12%，氢氟酸酸洗1min-3min。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法，其特征在于：步骤（2）中氮化硅保护膜的厚度为30nm-60nm、折射率为2.0-2.1。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法，其特征在于：步骤（6）中氮化硅减反膜的厚度为75nm-80nm。