[发明专利]形成硫化物半导体膜及其太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种形成硫化物半导体膜的方法，其特征在于，包含有：

涂布一层前驱物溶液于一基板上，此前驱物溶液包含一溶剂、金属硫化物纳米粒子，以及金属离子及金属络合物离子至少其中之一，其中，所述金属离子及/或所述金属络合物离子是分布于所述金属硫化物纳米粒子的表面；以及

进行一回火工艺，使所述层前驱物溶液形成所述硫化物半导体膜；

其中，金属硫化物纳米粒子、金属离子及金属络合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III及IV族所构成的组合且包含所述硫化物半导体材料的所有金属元素。

2.如权利要求1所述的形成硫化物半导体膜的方法，其特征在于，所述涂布前驱物溶液的步骤包含湿式涂布法、印刷法、旋涂法、浸泡涂布法、刮刀涂布法、淋幕式涂布法、斜板式涂布法、喷雾式涂布法、斜缝式涂布法、液面弯曲式涂布法、网印法、喷墨式印刷法、移印法、胶版轮转式印刷法及凹版印刷法。

3.如权利要求1所述的形成硫化物半导体膜的方法，其特征在于，更包含在约25°C到约600°C的温度干燥所述层前驱物溶液的步骤。

4.如权利要求1所述的形成硫化物半导体膜的方法，其特征在于，所述回火步骤是在温度约300°C到约700°C下进行。

5.如权利要求1所述的形成硫化物半导体膜的方法，其特征在于，所述金属硫化物纳米粒子、所述金属离子及所述金属络合物离子所包括的金属包含锡、铜及锌。

6.如权利要求5所述的形成硫化物半导体膜的方法，其特征在于，所述金属硫化物纳米粒子、所述金属离子及所述金属络合物离子所包括的金属更包含锗。

7.如权利要求1所述的形成硫化物半导体膜的方法，其特征在于，所述金属硫化物纳米粒子、所述金属离子及所述金属络合物离子所包括的金属包含铜、铟及镓。

8.如权利要求1所述的形成硫化物半导体膜的方法，其特征在于，所述硫化物半导体膜是选自由IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物及I-II-IV-VI族化合物所构成的组合。

9.一种形成太阳能电池的方法，其特征在于，包含有：

形成一下电极于一基板上；

使用如申请专利范围第1项的方法形成一硫化物半导体膜于所述下电极上；

形成一半导体层于所述硫化物半导体膜上；以及

形成一上电极于所述半导体层上。

10.如权利要求9所述的形成太阳能电池的方法，其特征在于，所述形成一半导体层的步骤包含形成一n型半导体层。

11.如权利要求9所述的形成太阳能电池的方法，其特征在于，所述形成上电极的步骤包含形成一透明导电层。