[发明专利]螯合材料再生方法及基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种吸附有基板处理用处理液中所含的金属成分的螯合材料的再生方法、及具有螯合材料再生功能的基板处理装置。

背景技术

在应用于各种领域的半导体（硅）晶片、液晶玻璃基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等各种基板的制造工序中，有对这些基板供给蚀刻液、显影液、清洗液等各种处理液来处理该基板的处理工序，且该处理工序中使用基板处理装置。

所述基板处理装置是以如下方式构成，即，包括贮存蚀刻液的贮存槽、通过蚀刻液而对基板进行蚀刻处理的基板处理机构、及蚀刻液循环机构等，该蚀刻液循环机构将贮存在贮存槽中的蚀刻液供给至基板处理机构，并从该基板处理机构回收所供给的蚀刻液，且使蚀刻液在贮存槽与基板处理机构之间循环，通过从贮存槽供给的蚀刻液而在基板处理机构中对基板进行蚀刻处理，将蚀刻处理中用过的蚀刻液回收至贮存槽中。

所述基板处理装置中，例如通过蚀刻液对形成有金属膜（氧化铟锡膜等）的基板进行蚀刻处理，由此在蚀刻液中混入来自构成金属膜的金属（铟或锡等）的金属成分（铟离子或锡离子等），将混入有该金属成分的蚀刻液回收至贮存槽中。因此，通过反复执行蚀刻处理而引起贮存在贮存槽中的蚀刻液中的金属成分浓度逐渐上升。而且，当金属成分浓度达到一定水平以上时，会产生蚀刻速度降低、或者无法获得精度良好的蚀刻形状等的不良情况。

因此，该基板处理装置中，为了防止蚀刻速度的降低或蚀刻形状的恶化，必须定期地更换贮存槽内的蚀刻液，以免通过金属成分浓度超过一定水平的蚀刻液进行蚀刻处理，蚀刻液的更换等耗费资金，从而不可避免地导致蚀刻处理的成本上升。

因此，作为用以解决所述课题的装置，本案申请人提出例如日本专利特开2010-034593号公报中所揭示的基板处理装置（以下，称为“以往装置”）。该以往装置构成为，除所述基板处理装置的构成以外，还具有去除机构，用以从蚀刻液中去除金属成分，以便不更换蚀刻液即可将金属成分浓度抑制在一定水平以下，且将去除了金属成分的蚀刻液回收至贮存槽中。而且，该以往装置构成为包含：吸附机构，其包含吸附塔等，其中填充有螯合材料作为吸附材，且从所述贮存槽流通过混入有金属成分的蚀刻液；洗脱液供给机构，其对吸附塔供给使吸附在吸附材上的金属成分洗脱的洗脱液供给；清洗液供给机构，其将清洗吸附材的清洗液供给至吸附塔内；以及等等；且使混入有金属成分的蚀刻液流通过吸附塔，使吸附材吸附金属成分，将去除了金属成分的蚀刻液回收至贮存槽，继而，使洗脱液流通过吸附塔而洗脱、回收吸附在吸附材上的金属成分，其后，为再利用吸附材而使清洗液流通过吸附塔内对吸附材进行清洗而再生。

此外，在所述以往装置中，使用硫酸水溶液作为洗脱液而使吸附在螯合材料上的金属成分洗脱，在螯合材料的再生中，为了中和酸性成分而使用碱性水溶液作为清洗液。

但是，在使用碱性水溶液作为清洗液的情况下，为了防止作为酸性水溶液的洗脱液与作为碱性水溶液的清洗液的混合，必须严格管理供给路径等，或者必须使清洗液供给机构成为可供给碱性水溶液的构成等，从而不可避免地造成装置的复杂化，此外，产生由于碱性水溶液等的原材料而导致制造成本上升等的问题。

因此，作为不使用碱性水溶液而使吸附材再生的方法，提出例如日本专利特开2008-013795号公报中所揭示的方法（以下，称为“以往方法”）。

该以往方法是使含有草酸的蚀刻液、盐酸水溶液及水依次接触于阴离子交换树脂的方法。具体而言，首先，使含有铟成分的含草酸的蚀刻液接触于阴离子交换树脂，使铟成分吸附在阴离子交换树脂上。其次，使吸附有铟成分的阴离子交换树脂接触于盐酸水溶液，使铟成分转移至盐酸水溶液中，将含有铟成分的盐酸水溶液回收。然后，使接触过盐酸水溶液的阴离子交换树脂接触于水。另外，阴离子交换树脂、盐酸水溶液及水分别相当于所述以往装置中的吸附材、洗脱液及清洗液。

先前技术文献

专利文献：

专利文献1：日本专利特开2010-034593号公报

专利文献2：日本专利特开2008-013795号公报

发明内容