[发明专利]化学气相沉积维修设备有效
申请号: | 201210307094.8 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN102828166A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 汪雯;刘国全;李建敏;郑杰;滕飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/48;C23C16/16 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 沉积 维修 设备 | ||
技术领域
本发明涉及机械领域,尤其涉及一种化学气相沉积维修设备。
背景技术
在制备液晶显示设备的显示模组的过程中,有时会在薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下简称TFT)阵列基板上出现金属膜断裂或缺陷的不良点,此时如果遗弃整个显示模组则会造成较大地浪费,故可以通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,以下简称CVD)维修设备对显示模组进行维修。
使用现有的CVD维修设备对TFT阵列基板进行维修时,CVD维修设备中通过惰性气体喷出六羰基钨,并通过激光使六羰基钨分解为钨粉沉积在TFT阵列基板上对断裂或缺陷处进行修复。
在上述对TFT阵列基板进行维修的过程中,在对不良的情况进行检测时,气体窗口与TFT阵列基板之间的距离很小,一般小于1mm,此时,在移动X、Y轴查看下一个不良点时,Z轴没有升起,从而使气体窗口划伤TFT阵列基板,对TFT阵列基板造成较大的损伤。
发明内容
本发明的实施例提供一种避免划伤TFT阵列基板的化学气相沉积维修设备。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种化学气相沉积维修设备,包括:气体喷射装置,所述气体喷射装置包括:
气体窗口,与储气模块层叠设置,用于形成并透过气孔喷出金属化合物;
所述储气模块,连通辅助气体供应管路,用于向基板喷出辅助气体,其中,所述储气模块的出气口位于所述气体喷射装置的下表面;
通光孔,贯通设置在所述气体喷射装置中,用于透过激光;
所述气孔,设置在透镜下方的所述通光孔的内壁上,用于通过所述气体窗口喷出的所述金属化合物;
所述透镜,设置在所述通光孔内,靠近所述通光孔底部,用于对所述激光进行聚焦,分解所述金属化合物形成金属沉积物,并沉积于所述基板上;
压敏传感器,设置在所述气体喷射装置的下表面,用于通过检测所述辅助气体碰撞所述基板后反弹回所述气体喷射装置的下表面的气体压力,确定所述基板与所述气体喷射装置之间的距离;
控制器,所述控制器与所述压敏传感器连接,用于当所述压敏传感器检测的所述距离小于所设置的预设值时,则增大所述储气模块的辅助气体喷出量。
本发明实施例提供的一种CVD维修设备,通过储气模块所喷出的辅助气体碰撞基板,并反弹至位于气体喷射装置底面的压敏传感器,从而检测TFT阵列基板与气体喷射装置之间的距离,当基板与气体喷射装置之间的距离小于预设值时,则可以通过控制器增加所述储气模块所喷出的辅助气体的气体量以提升气体喷射装置或通过停止气体喷射装置横向移动等方式,避免气体喷射装置在移动过程中划伤基板。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1所述的CVD维修设备中气体喷射装置的结构示意图;
图2为本发明实施例1所述的CVD维修设备中气体喷射装置的剖视图;
图3为本发明实施例1所述的CVD维修设备进行TFT阵列基板维修的结构示意图;
图4为本发明实施例1所述的CVD维修设备中通孔倾斜设置的气体喷射装置的剖视图;
图5为本发明实施例2所述的CVD维修设备中气体喷射装置的剖视图;
图6为本发明实施例3所述的CVD维修设备中包含电磁阀门的气体喷射装置的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例一种CVD维修设备进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种化学气相沉积维修设备,如图1所示,包括:气体喷射装置1,所述气体喷射装置1包括:
气体窗口10,与储气模块11层叠设置,用于形成并透过气孔15喷出金属化合物;
所述储气模块11,连通辅助气体供应管路12,用于向基板3喷出辅助气体,其中,所述储气模块11的出气口17位于所述气体喷射装置1的下表面;
通光孔13,贯通设置在所述气体喷射装置1中,用于透过激光;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的