[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其包括：

线路增层结构，其具有相对的第一表面与第二表面，且该线路增层结构包含表面作为该第一与第二表面的至少一介电层、形成于该介电层上的线路层、及形成于该介电层中并电性连接该线路层的多个导电盲孔，且该第一表面上具有电性连接该导电盲孔的多个电性接触垫；

多个电性连接垫，其嵌设于该线路增层结构的第二表面上并电性连接该导电盲孔，且该些电性连接垫与该第二表面形成有段差；以及

至少一半导体组件，其设于该线路增层结构的第一表面上，且该半导体组件电性连接该些电性接触垫。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括绝缘保护层，其形成于该线路增层结构的第一表面上，且令该些电性接触垫外露于该绝缘保护层。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括封装胶体，其形成于该绝缘保护层上，以包覆该半导体组件。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括封装胶体，其形成于该线路增层结构的第一表面上，以包覆该半导体组件。

5.一种半导体封装件的制法，其包括：

提供一承载结构，其表面依序具有第一金属层与第二金属层；

形成多个电性连接垫于该第二金属层上；

移除该第二金属层未被该电性连接垫覆盖的部分，以保留该些电性连接垫下的第二金属层，且外露该第一金属层；

形成一线路增层结构于该第一金属层与该些电性连接垫上，且该线路增层结构上具有多个电性接触垫；

设置至少一半导体组件于该线路增层结构上，且该半导体组件电性连接该些电性接触垫；以及

借由剥离方式，同时移除该承载结构、第一金属层与该电性连接垫下的第二金属层。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该承载结构具有相对的第一侧与第二侧，且该第一侧上具有该第一与第二金属层，而该第二侧上具有第三金属层。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一与第三金属层为铜箔。

8.根据权利要求5所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第二金属层以电镀方式形成于该第一金属层上。

9.根据权利要求5所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该线路增层结构具有至少一介电层、形成于该介电层上的线路层、及形成于该介电层中的多个导电盲孔，且该导电盲孔电性连接该线路层与电性连接垫，又该些电性接触垫为该最外层的线路层的一部分。

10.根据权利要求5所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成绝缘保护层于该线路增层结构，且令该些电性接触垫外露于该绝缘保护层。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成封装胶体于该绝缘保护层上，以包覆该半导体组件。

12.根据权利要求5所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成封装胶体于该线路增层结构上，以包覆该半导体组件。

13.一种半导体封装件的制法，其包括：

提供一承载结构，其表面依序具有第一金属层与第二金属层；

图案化该第二金属层，以形成多个电性连接垫，且外露该第一金属层；

形成一线路增层结构于该第一金属层与该些电性连接垫上，且该线路增层结构上具有多个电性接触垫；

设置至少一半导体组件于该线路增层结构上，且该半导体组件电性连接该些电性接触垫；以及

借由剥离方式，移除该承载结构与第一金属层。

14.根据权利要求13所述的封装基板的制法，其特征在于，该承载结构具有相对的第一侧与第二侧，且该第一侧上具有该第一与第二金属层，而该第二侧上具有第三金属层。

15.根据权利要求14所述的封装基板的制法，其特征在于，该第一与第三金属层为铜箔。

16.根据权利要求13所述的封装基板的制法，其特征在于，该第二金属层以电镀方式形成于该第一金属层上。

17.根据权利要求13所述的封装基板的制法，其特征在于，以蚀刻方式形成该些电性连接垫。