[发明专利]高频基板结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201210308259.3 申请日: 2012-08-28
公开(公告)号: CN103635015A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 林志铭;洪金贤;林惠峰;李建辉 申请(专利权)人: 昆山雅森电子材料科技有限公司
主分类号: H05K1/03 分类号: H05K1/03;H05K3/46
代理公司: 昆山四方专利事务所 32212 代理人: 盛建德
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 高频 板结 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种高频基板结构,尤指一种在两金属层之间夹置复合膜的高频基板结构及其制造方法。

背景技术

印刷电路板是电子产品中不可或缺的材料,而随着消费性电子产品需求成长,对于印刷电路板的需求亦是与日俱增。由于软性印刷电路板具有可挠曲性及可三度空间配线等特性,在科技化电子产品强调轻薄短小、可挠曲性的发展驱势下,目前被广泛应用计算机及其外围设备、通讯产品以及消费性电子产品等等。

近来,由于电子产品已走向高速及高频的应用趋势,使得现今电子产品都需要使用高频电路用印刷电路基板来支持,以达到高频及高速的运作功效。在众多被用作为高频电路用印刷电路基板的材料中,除了陶瓷和发泡材料外,以氟系树脂居多,其原因在于氟系树脂具有低介电常数(Dk)和低介电损耗(Df),如聚四氟乙烯(PTFE)基板在频率10GHz下具有Dk值2.1、Df值0.0004,与低吸水率0.0003等优异的电气性质。

但是,PTFE基板低玻璃转移温度Tg是19 ℃,耐热性不足。

因此,仍需要开发能够改善制程加工性,同时具有低介电常数与低介电损耗以及耐热性佳的高频基板结构。

发明内容

为了克服上述缺陷,本发明提供了一种高频基板结构及其制造方法,本发明的高频基板结构制程加工性好,且具有低介电常数、低介电损耗以及良好的耐热性。

本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种高频基板结构,包括复合膜,所述复合膜由依序相迭合的第一子层、第二子层和第三子层三个子层构成,其中,所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层三个子层中至少有一个子层为氟系聚合物层;还包括第一金属层,所述第一金属层形成于所述第一子层上,且所述第一子层夹置于所述第二子层和所述第一金属层之间;还包括第二金属层,所述第二金属层形成于所述第三子层上,且所述第三子层夹置于所述第二子层与所述第二金属层之间。

较佳地,所述第二子层为氟系聚合物层,所述第一子层和所述第三子层皆为聚酰亚胺层。 

较佳地,所述氟系聚合物层是四氟乙烯与乙烯的共聚物(ETFE)层、聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物层或聚四氟乙烯层(polytetrafluorethylene)。

优选的是,所述氟系聚合物层是聚四氟乙烯(polytetrafluorethylene)层或四氟乙烯与乙烯的共聚物(ETFE)层。

较佳地,所述第一金属层和所述第二金属层皆是铜层。

较佳地,所述氟系聚合物层的厚度介于 25 至 50 微米之间。

较佳地,所述第一金属层和所述第二金属层的厚度是各自介于 12 至 36 微米之间。

较佳地,所述第一子层和所述第三子层的厚度是各自介于6至25微米之间。

上述高频基板结构的制造方法,如下:所述第二子层为氟系聚合物层,在所述第一金属层上涂布聚酰胺酸并经烘箱干燥以及亚酰胺化后形成由第一金属层以及第一子层构成的单面无胶的第一金属基板,所述第一子层为聚酰亚胺层,在所述第二金属层上涂布聚酰胺酸并经烘箱干燥以及亚酰胺化后形成由第二金属层以及第三子层构成的单面无胶的第二金属基板,所述第三子层为聚酰亚胺层,将所述氟系聚合物层的两面热压合第一金属基板以及第二金属基板后即可得到所述高频基板结构。

本发明的有益效果是:本发明的高频基板结构,包括复合膜,复合膜由依序相迭合的第一子层、第二子层和第三子层三个子层构成,其中,三个子层中至少有一个子层为氟系聚合物层,还包括第一金属层,第一金属层形成于第一子层上,还包括第二金属层,第二金属层形成于第三子层上,本发明的高频基板结构制程加工性好,且经测试结果可知本发明的高频基板结构具有低介电常数、低介电损耗以及良好的耐热性。

附图说明

图1为本发明结构示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域普通技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的优点及功效。本发明也可以其它不同的方式予以实施,即,在不悖离本发明所揭示的范畴下,能予不同的修饰与改变。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山雅森电子材料科技有限公司,未经昆山雅森电子材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210308259.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top