[发明专利]具有额外有源区域的半导体装置之间的隔离区域有效

专利信息
申请号: 201210308681.9 申请日: 2012-08-27
公开(公告)号: CN103000643A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 戴幸志;顾克强;毛杜利;文森特·韦内齐亚;陈刚 申请(专利权)人: 全视科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 额外 有源 区域 半导体 装置 之间 隔离
【权利要求书】:

1.一种电路,其包括:

具有源极、漏极和所述源极与所述漏极之间的栅极的图像传感器的互补金属氧化物半导体晶体管,所述晶体管具有用以在所述栅极的影响下耦合所述源极与所述漏极的沟道;以及

隔离屏障,其围绕所述源极和所述漏极的周边以将所述源极和所述漏极与其它装置隔离,其中所述隔离屏障距所述沟道的中心部分某一距离。

2.根据权利要求1所述的电路,其中所述隔离屏障距所述沟道的所述中心部分比距所述源极和所述漏极附近的所述沟道要远。

3.根据权利要求1所述的电路,其中所述隔离屏障包括浅沟槽隔离。

4.根据权利要求1所述的电路,其中所述隔离屏障在所述源极和所述漏极与所述栅极的交叉附近提供所述沟道的边界。

5.根据权利要求1所述的电路,其进一步包括所述图像传感器的光电二极管,所述晶体管具有第一导电类型,且所述光电二极管具有第二导电类型;且其中所述沟道的所述中心部分与所述光电二极管之间不存在所述隔离屏障。

6.根据权利要求5所述的电路,其进一步包括所述沟道与所述光电二极管之间的隔离区域,所述隔离区域具有所述第一导电类型以隔离所述沟道与所述光电二极管。

7.根据权利要求6所述的电路,其中所述隔离区域用以在无所述隔离屏障的情况下隔离所述沟道。

8.根据权利要求7所述的电路,其中所述沟道的下伏于所述晶体管的所述栅极下方的中心部分由所述隔离区域隔离,且所述沟道的在所述晶体管的所述源极和漏极附近的部分由所述隔离屏障隔离。

9.根据权利要求5所述的电路,其中所述晶体管包括源极跟随器晶体管,且其中所述隔离屏障包括所述晶体管源极与所述光电二极管之间以及所述晶体管漏极与所述光电二极管之间的浅沟槽隔离。

10.根据权利要求6所述的电路,其中所述隔离区域经掺杂以具有所述第一导电类型,且其中所述隔离区域被掺杂到与所述沟道相等或比所述沟道高的浓度。

11.根据权利要求6所述的电路,其中中心沟道与所述隔离区域邻接,且其中所述光电二极管邻近于所述隔离区域。

12.一种光传感器阵列,其包括:

多个互补金属氧化物半导体源极跟随器晶体管,其每一者形成在半导体材料的相应阱内,所述阱具有第一导电类型,每一晶体管具有源极、栅极和漏极以及下伏于所述栅极下方的中心沟道;

形成在所述半导体材料中的多个光电二极管,其每一者形成在第二相反导电类型的阱中且具有检测器区域;以及

每一相应中心沟道的第一部分与对应的光电二极管之间的隔离区域,所述隔离区域形成在所述半导体材料内作为所述第一导电类型的阱以隔离所述晶体管与所述光电二极管。

13.根据权利要求12所述的光传感器阵列,其进一步包括所述源极与所述光电二极管之间以及所述漏极与所述光电二极管之间的浅沟槽隔离。

14.根据权利要求12所述的光传感器阵列,其中所述隔离区域与所述中心沟道邻接。

15.根据权利要求12所述的光传感器阵列,其中所述隔离区域距所述中心沟道较远。

16.根据权利要求12所述的光传感器阵列,其中所述晶体管形成在所述半导体材料的p型植入阱中,且其中所述隔离区域形成为具有与所述晶体管植入阱的掺杂相等或比其高的掺杂的p型植入阱。

17.一种方法,其包括:

在半导体材料内提供经掺杂区以形成晶体管的中心沟道;

在所述经掺杂区的任一侧上形成互补经掺杂区以分别形成所述晶体管的源极和漏极;

通过较重地掺杂所述半导体材料而在所述中心沟道旁边形成隔离区域;

在所述经掺杂区的所述中心沟道上形成栅极氧化物层;以及

在所述栅极氧化物层上形成晶体管栅极电极。

18.根据权利要求17所述的方法,其进一步包括在所述隔离区域的与所述晶体管相对的一侧上在所述隔离区域附近形成互补经掺杂光电二极管。

19.根据权利要求17所述的方法,其中形成隔离区域包括形成与所述中心沟道邻接的所述隔离区域。

20.根据权利要求17所述的方法,其进一步包括在所述源极与所述光电二极管之间以及在所述漏极与所述光电二极管之间形成浅沟槽隔离。

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