[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201210308824.6 | 申请日: | 2008-11-05 |
公开(公告)号: | CN102858078A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 山泽阳平;奥西直彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置,其将输出第一高频的第一高频电源电连接在设置于能够减压的处理容器内的第一电极上,并设置有用于使从发热体进入第一和第二供电线上的高频噪声衰减的滤波电路,该第一和第二供电线用于电连接设置在所述第一电极上的所述发热体和加热器电源,该等离子体处理装置的特征在于:
在所述第一和第二供电线上从所述发热体看,在所述滤波电路的初段分别设置有第一和第二空芯线圈,
所述第一和第二空芯线圈相互同轴,且具有大致相等的卷线长度。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第一和第二空芯线圈的卷线长度之比为1。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第一和第二空芯线圈具有大致相等的直径。
4.如权利要求1~3中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第一和第二空芯线圈以同心状配置。
5.一种等离子体处理装置,其将输出第一高频的第一高频电源电连接在设置于能够减压的处理容器内的第一电极上,并设置有用于使通过发热体进入第一和第二供电线的高频噪声衰减的滤波电路,该第一和第二供电线用于电连接设置在所述第一电极上的所述发热体和加热器电源,该等离子体处理装置的特征在于:
在所述第一和第二供电线上从所述发热体看,在所述滤波电路的初段分别设置有第一和第二空芯线圈,
分别构成所述第一和第二空芯线圈的第一和第二线圈导线沿共同的线圈卷轴的外周面并进且以大致相等的卷线长度卷成螺旋状。
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第一和第二线圈导线在所述线圈卷轴的轴方向上交替重叠。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第一和第二线圈导线中的至少一方被绝缘体包覆。
8.如权利要求7所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第一和第二线圈导线由平角或薄板的铜线形成。
9.如权利要求1~8中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
具有包围或收纳所述初段线圈并接地的导电性的外壳。
10.如权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述初段线圈分割为在所述外壳内在空间上并排设置且电串联连接的多个空芯线圈单体。
11.如权利要求10所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在所述多个空芯线圈单体中,位于最初段的空芯线圈单体与其它所有空芯线圈单体相比具有更大的电感。
12.如权利要求10或11所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在所述多个空芯线圈单体中,位于初段的空芯线圈单体与其它所有空芯线圈单体相比具有更小的浮游电容。
13.如权利要求1~12中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述发热体隔着绝缘体埋入所述第一电极的主面。
14.如权利要求1~13中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第一电极是下部电极,在其之上载置被处理体。
15.如权利要求1~14中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在所述处理容器内具有与所述第一电极隔开期望的间隔而平行相对的第二电极。
16.如权利要求15所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在所述第二电极上电连接有第二高频电源,该第二高频电源输出频率比所述第一高频更高的第二高频。
17.一种等离子体处理装置,其为了在能够减压的处理容器内进行使用高频的等离子体处理,具有通过第一和第二线路与设置在所述处理容器内的规定的电气部件电连接、且设置在所述处理容器之外的电力系统或信号系统的外部电路,该等离子体处理装置利用设置在所述第一和第二线路上的滤波电路使通过所述电气部件进入所述第一和第二线路的高频噪声衰减,该等离子体处理装置的特征在于:
在所述第一和第二线路上从所述电气部件看,在所述滤波电路的初段分别设置有第一和第二空芯线圈,
所述第一和第二空芯线圈相互同轴且具有大致相等的卷线长度。
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