[发明专利]一种片式功率二极管设计工艺有效
| 申请号： | 201210309045.8 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102800586A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张新华;张若煜 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;G01R31/26 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 二极管 设计 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于：包括额定电流设计、额定反向重复电压设计、芯片尺寸设计、版图设计、扩散条件设计和产品评估，所述片式二极管采用微型台面GPP玻璃钝化工艺。
2.如权利要求1所述的一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于：所述片式功率二极管的额定电流为0.3A-0.7A。
3.如权利要求1所述的一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于：所述片式功率二极管的额定反向重复电压为600V-1000V。
4.如权利要求1所述的一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于：所述片式功率二极管的芯片尺寸为32mil-45mil。
5.如权利要求1所述的一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于：额定电流为0.3A的片式功率二极管的芯片有源区尺寸为21mil，为二次光刻台面镀镍区的尺寸为18mil*18mil, 选取光刻线条宽度分别为2、3、4、5mil。
6.如权利要求1所述的一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于：产品评估采用热阻特性测试技术对芯片进行评估。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
