[发明专利]激光退火提高铁磁/反铁磁双层膜交换偏置场热稳定性方法无效
| 申请号： | 201210309566.3 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102832336A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 周广宏;章跃;潘旋;朱雨富;丁红燕 | 申请（专利权）人： | 淮阴工学院 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 淮安市科翔专利商标事务所 32110 | 代理人： | 韩晓斌 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 退火 提高 反铁磁 双层 交换 偏置 热稳定性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.激光快速退火提高铁磁/反铁磁双层膜交换偏置场热稳定性方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
（1）按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序采用物理气相沉积法（PVD），制作铁磁/反铁磁双层膜；
（2）利用连续波激光或脉冲激光作为光源，对铁磁/反铁磁双层膜进行激光快速退火；其中，在激光快速退火时，施加100~500Oe的平面诱导磁场；其中，激光快速退火的工艺参数为：输出功率2～10W，扫描速度5～20cm/s。
2. 根据权利要求1所述的激光快速退火提高铁磁/反铁磁双层膜交换偏置场热稳定性方法，其特征在于：所述的铁磁层为CoFe、NiFe或Co，反铁磁层为IrMn或FeMn。
3. 根据权利要求1所述的激光快速退火提高铁磁/反铁磁双层膜交换偏置场热稳定性方法，其特征在于铁磁/反铁磁双层膜的制作方法是：利用高真空磁控溅射设备在经过清洗的单晶硅衬底上沉积缓冲层、磁性层、保护层，得铁磁/反铁磁双层膜；其中，缓冲层Ta厚度为5nm，铁磁层厚度为5nm，反铁磁层厚度为10～15nm，保护层Ta厚度为8nm；其中，铁磁/反铁磁双层膜的生长条件为：背底真空5×10-6Pa；溅射气压0.3Pa；溅射功率30W；氩气流量20sccm；基片温度室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淮阴工学院，未经淮阴工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210309566.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种掺有钢粉的陶瓷金刚石砂轮
- 下一篇：一种皮革面料的整体体操垫及其制备方法
