[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体芯片；

具有第一表面和第二表面的引线，所述第一表面上安装有所述半导体芯片，所述第二表面与所述第一表面相反；

用于耦接所述半导体芯片和所述引线的接合导线；

用于从所述第二表面支撑所述引线的一部分的树脂基底；以及

具有为5或更大的相对介电常数的高介电层，

其中所述引线包括源电极引线和源极-导线结，所述源电极引线与形成于所述半导体芯片之上的半导体器件的源极耦接，所述源极-导线结是所述源电极引线和所述接合导线于其处耦接在一起的结，并且

其中所述高介电层被布置于所述引线的所述第二表面之上的区域内，所述区域至少包括与所述源极-导线结对应的位置，并且由所述基底围绕。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述高介电层包括金属氧化物和氧化硅之一。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：盖罩，覆盖所述半导体芯片并包括具有比所述高介电层的介电常数低的介电常数的树脂。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述源极-导线结包括布置于分离的位置中的第一源极-导线结和第二源极-导线结，并且

其中所述高介电层包括与所述第一源极-导线结对应的第一高介电层以及与所述第二源极-导线结对应的第二高介电层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述引线还包括：与形成于所述半导体芯片之上的所述半导体器件的漏极耦接的漏电极引线，以及与形成于所述半导体芯片之上的所述半导体器件的栅极耦接的栅电极引线。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述高介电层具有与所述引线相对的第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面，

所述半导体装置还包括形成于与所述第二表面相对的位置中的且与所述源电极引线耦接的另加的源电极板。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述高介电层是小片和芯片之一。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述高介电层包括许多粒子并且分布于所述基底内。