[发明专利]包括具有通孔的半导体芯片的半导体封装件无效
申请号: | 201210310295.3 | 申请日: | 2012-08-28 |
公开(公告)号: | CN103077939A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 李昌哲;金显俊;李仁荣;丁起权 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/13;H01L23/29 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 具有 半导体 芯片 封装 | ||
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
基板,包括穿过基板形成的第一通孔;
第一半导体芯片,以倒装芯片的方式堆叠在基板上并且包括穿过第一半导体芯片形成的第二通孔;
第二半导体芯片,以倒装芯片的方式堆叠在第一半导体芯片上并且包括穿过第二半导体芯片形成的第三通孔;以及
成型材料,覆盖第一半导体芯片和第二半导体芯片,并且填充基板和第一半导体芯片之间的空间、第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的空间以及第一通孔、第二通孔和第三通孔中的每个通孔。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,第一半导体芯片包括多个贯穿电极,以及
第二通孔穿过位于第一贯穿电极和与所述第一贯穿电极相邻的第二贯穿电极之间的第一半导体芯片形成。
3.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,第一半导体芯片包括沿第一方向顺序地布置的第一贯穿电极、第二贯穿电极和第三贯穿电极,
第一贯穿电极和第二贯穿电极之间的距离比第二贯穿电极和第三贯穿电极之间的距离小,以及
第二通孔形成在第一贯穿电极和第二贯穿电极之间。
4.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,第一半导体芯片包括沿第一方向布置的多个贯穿电极,以及
第二通孔沿第一方向延伸。
5.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,第一通孔从基板的第一表面到基板的第二表面穿过基板,
成型材料的一部分穿过第一通孔从基板第一表面突出而形成通道,以及
第一半导体芯片堆叠在基板的第二表面上。
6.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,第一通孔、第二通孔和第三通孔均相互叠置。
7.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,第一半导体芯片的尺寸与第二半导体芯片的尺寸不同。
8.如权利要求7所述的半导体封装件,其中,第一半导体芯片包括多个第二通孔,
第二半导体芯片包括多个第三通孔,以及
第二通孔的数量不同于第三通孔的数量。
9.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,第二通孔的横截面尺寸不同于第三通孔的横截面尺寸。
10.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,成型材料包括环氧成型化合物。
11.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,第一通孔、第二通孔和第三通孔全部仅填充有成型材料。
12.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
基板,包括穿过基板形成的第一通孔;
第一半导体芯片,以倒装芯片的方式键合到基板上,并且包括穿过第一半导体芯片的第二通孔以及沿第一方向顺序地布置的第一贯穿电极、第二贯穿电极和第三贯穿电极,以及
环氧成型化合物,覆盖第一半导体芯片,并且填充基板和第一半导体芯片之间的空间、第一通孔以及第二通孔,
其中,第一贯穿电极和第二贯穿电极之间的距离小于第二贯穿电极和第三贯穿电极之间的距离,以及
第二通孔形成在第一贯穿电极和第二贯穿电极之间。
13.如权利要求12所述的半导体封装件,其中,第一半导体芯片还包括形成在第二贯穿电极和第三贯穿电极之间的第三通孔,以及
第一通孔、第二通孔和第三通孔填充有环氧成型化合物。
14.如权利要求13所述的半导体封装件,其中,第一通孔和第三通孔相互叠置。
15.如权利要求12所述的半导体封装件,其中,第一通孔从基板的第一表面到基板的第二表面穿过基板,
环氧成型化合物的一部分穿过第一通孔从基板的第一表面突出而形成通道,以及
第一半导体芯片以倒装芯片的方式键合到基板的第二表面上。
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