[发明专利]制备高利用率准单晶的组合式护板及其制备准单晶的方法

权利要求书

1.制备高利用率准单晶的组合式护板，包括贴附在坩埚（4）外壁上的坩埚石墨侧护板（3），其特征在于：所述坩埚石墨侧护板（3）包括贴附在坩埚（4）外壁上的内护板（2）、以及贴附在内护板一侧的外护板（1），所述外护板（1）位于内护板远离坩埚（4）的一侧；所述内护板开有若干轴线互相平行的内护板条形孔（21），外护板开有若干轴线互相平行外护板条形孔（11），所述内护板条形孔（21）的轴线与外护板条形孔（11）的轴线互相平行。

2.根据权利要求1所述的制备高利用率准单晶的组合式护板，其特征在于：所述内护板（2）远离坩埚（4）的一侧或内护板（2）端面安装有滑道装置（22），所述外护板（1）通过滑道装置（22）贴附在内护板（2）上。

3.根据权利要求2所述的制备高利用率准单晶的组合式护板，其特征在于：所述滑道装置（22）为U形槽，所述U形槽的开口方向指向内护板（2）。

4.根据权利要求2所述的制备高利用率准单晶的组合式护板，其特征在于：所述滑道装置（22）为至少一组对称设置在内护板（2）上的L形组板，一组L形组板的数目为2个，一组L形组板与内护板（2）组成两个开口相对U形凹槽。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的制备高利用率准单晶的组合式护板，其特征在于：所述内护板（2）和内护板均采用绝热材料制成。

6.制备准单晶的方法，其特征在于：包括如下步骤；

步骤A为制备装置的组装步骤：取上述坩埚（4），将坩埚（4）的底部安装在具有坩埚石墨底部护板（6）上的石墨底座支柱（7）上，坩埚石墨底部护板（6）与坩埚（4）的底部连接，然后采用内护板和外护板构成的坩埚石墨侧护板贴附在坩埚（4）的侧壁上；

步骤B为放料步骤：在步骤A完成后，将籽晶放在坩埚（4）的底部，然后在籽晶的上方放入多晶硅与母合金。

7.步骤C为熔化步骤：将上述步骤B组装完成后的制备装置，放入铸锭炉，经过加热处理使得多晶硅、母合金、籽晶均熔化，其中在加热前，通过牵引装置使得内护板（2）和外护板发生移位，使得内护板条形孔（21）和外护板条形孔完全重合或部分重合；

步骤D为长晶步骤：步骤C后，当坩埚（4）内的硅熔体（5）完全处于熔化状态后，驱动牵引装置使得内护板（2）和外护板发生移位，使得内护板条形孔（21）的投影完全落入相邻两外护板条形孔之间，同时使得外护板条形孔的投影完全落入相邻两内护板条形孔之间；

步骤E为退火和冷却步骤。