[发明专利]一种静电卡盘有效
申请号: | 201210310949.2 | 申请日: | 2012-08-28 |
公开(公告)号: | CN103633003A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 左涛涛;吴狄;周宁;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张龙哺;冯志云 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 卡盘 | ||
1.一种静电卡盘,用于等离子体处理装置中固定待加工件,其包括:
第一绝缘层,用于承载所述待加工件;
电极,位于所述第一绝缘层之中,用于连接一可控直流电源以产生静电力吸附待加工件;
第二绝缘层,位于所述第一绝缘层的下方;
加热器,设置于所述第二绝缘层内,所述加热器产生的热量能够通过所述第二绝缘层传递至所述第一绝缘层来加热所述待加工件;
基体,位于所述第二绝缘层的下方,用于支撑所述第一绝缘层以及第二绝缘层,所述基体至少包括一冷却液流道,用于注入冷却液对静电卡盘进行冷却;
其特征在于,所述基体还包括:
一阻热单元,所述阻热单元设置于所述冷却液流道的上部且其上表面与所述第二绝缘层的下表面相贴,所述阻热单元用于降低所述加热器所产生的热量向所述冷却液流道传递的速度。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述阻热单元包括第一阻热层,所述第一阻热层由钛或钛合金材料制成,所述第一阻热层贴于所述第二绝缘层的下方。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,所述阻热单元还包括第二阻热层,所述第二阻热层由钛或钛合金材料或铝材料制成,所述第二阻热层贴于所述第一阻热层的下方。
4.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,其包括:
隔离粘结层,所述隔离粘结层由伸缩性材料制成,其设置于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。
5.根据权利要求4所述的静电卡盘,其特征在于,所述隔离粘结层的厚度小于0.3mm。
6.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述第一绝缘层由陶瓷材料制成。
7.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述加热器由一根或多根加热丝组成,所述一根或多根电加热丝均匀布置于所述包裹层中。
8.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述加热器为一块加热板,所述加热板的尺寸小于所述包裹层尺寸,其嵌于所述包裹层中并向所述包裹层均匀地传递热量。
9.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述第二绝缘层由氧化铝材料制成,防止所述加热器中的交流电流流向所述基体。
10.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述第一绝缘层由陶瓷材料制成。
11.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述冷却液流道还连接一冷却装置,所述冷却装置向所述腔体提供冷却液,以降低所述基体的温度。
12.一种用于对待加工件进行等离子体处理的等离子体处理装置,其包括:
对待加工件进行等离子体处理工艺的反应腔室;
其特征在于,还包括:
置于所述反应腔室内部,用于固定待加工件的根据权利要求1至11中任一项所述的静电卡盘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210310949.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造