[发明专利]一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法在审
| 申请号： | 201210310976.X | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103633196A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 肖志国;李倩影;武胜利;孙英博;薛念亮;李浩然 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 透明 电极 图形 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法，其特征在于其步骤包括：
1）在GaN基外延层上蒸镀厚度在1000 ? ~2000?的透明电极；
2）在透明电极上沉积厚度为10 ?~100 ?的SiO2层；
3）在250~400℃，氮气条件下进行退火5-10分钟，SiO2层结晶形成SiO2图形掩膜；所述图形掩膜的图形包括菱形、梯形、圆形、三角形；
4）用干法刻蚀去除裸露在外的透明电极；
5）用HF溶液去除SiO2图形掩膜。
2.如权利要求1所述的一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法，其特征在于：所述步骤1）中的蒸镀方法为电子束蒸发。
3.如权利要求1所述的一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法，其特征在于：所述透明电极为ITO、ZnO或者单层石墨烯。
4.如权利要求1所述的一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法，其特征在于：所述步骤2）中采用PECVD沉积SiO2层。
5.如权利要求1所述的一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法，其特征在于：所述步骤4）中的干法刻蚀为ICP或者RIE。
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