[发明专利]AZO-黑硅异质结太阳能电池及制备方法

权利要求书

1.AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。

2.根据权利要求1所述的AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述AZO薄膜为n型透明导电半导体薄膜的铝参杂氧化锌薄膜，其铝参杂量范围为1%~6%，电阻范围为10~10^-4Ω·cm，可见光透过率大于等于85%，厚度范围为50~100nm。

3.根据权利要求1所述的AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述表面保护层是由二氧化硅、氮化硅、氧化铝等氮化物或氧化物构成，其厚度为50~150nm。

4.根据权利要求1所述的AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述金属栅电极和金属背电极由铝、铜、银、金、铂或其合金制成。

5.根据权利要求1~4之一所述的AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述黑硅层为单晶黑硅的p型黑硅层；所述晶硅层为单晶硅的P型晶硅层。

6.根据权利要求1~4之一所述的AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述黑硅层为多晶黑硅的p型黑硅层；所述晶硅层为多晶硅的P型晶硅层。

7.根据权利要求1所述的AZO-黑硅异质结太阳能电池的制备方法，其步骤如下：

（1）利用等离子体浸没离子注入工艺，在晶硅层表面制备黑硅层；

（2）在所述黑硅层表面制备AZO薄膜；

（3）在所述AZO薄膜表面制备金属栅电极；

（4）在所述金属栅电极与AZO薄膜表面制备表面保护层；

（5）在所述晶硅层背面制备金属背电极。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：步骤（5）中金属背电极是通过丝网印刷或蒸镀方式在所述黑硅层背面制备。

9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）是采用原子层沉积法、化学气相沉积法或溶胶—凝胶法在所述黑硅层表面制备AZO薄膜。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：步骤（4）是采用原子层沉积法、化学气相沉积法、溶胶—凝胶法或等离子蒸发法在所述金属栅电极与AZO薄膜表面制备表面保护层。