[发明专利]制备非极性A面GaN薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，包括：

在衬底表面制备A面ZnO缓冲薄膜；

在制备的A面ZnO缓冲薄膜上制备非极性A面GaN薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述A面ZnO缓冲薄膜的厚度介于10nm至100nm之间。

3.根据权利要求2所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，采用金属有机物化学气相沉积法制备所述A面ZnO缓冲薄膜。

4.根据权利要求3所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述采用金属有机物化学气相沉积法制备A面ZnO缓冲薄膜的步骤中：反应源为二乙基锌和氧气，载气为氮气。

5.根据权利要求4所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述采用金属有机物化学气相沉积法来制备A面ZnO缓冲薄膜的步骤中，反应参数为：二乙基锌的流量为22μmol/min；氧源O₂的流量为1SLM；生长温度为550℃；反应室压力为76Torr。

6.根据权利要求5所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述采用金属有机物化学气相沉积法来制备A面ZnO缓冲薄膜的步骤之后还包括：

生长温度和反应室压力保持不变，将制备A面ZnO缓冲薄膜的衬底在反应腔的氧气环境下保持15分钟。

7.根据权利要求5所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述采用金属有机物化学气相沉积法来制备A面ZnO缓冲薄膜的步骤之前还包括：

将衬底放入反应腔后，在550℃下通氮气烘烤衬底30分钟。

8.根据权利要求1所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，采用金属有机物化学气相沉积法制备所述非极性A面GaN薄膜。

9.根据权利要求8所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述采用金属有机物化学气相沉积法来制备非极性A面GaN薄膜的步骤中：镓源和氮源分别为三甲基镓和氨气；载气为氮气。

10.根据权利要求9所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述采用金属有机物化学气相沉积法来制备非极性A面GaN薄膜的步骤中，反应参数为：三甲基镓的流量为8μmol/min，氨气的流量为3SLM；生长温度为1100℃；反应室压力为60Torr。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述衬底与GaN晶格失配度小于2％。

12.根据权利要求11所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述衬底为R面蓝宝石、SiC或Si。