[发明专利]外延片、其生产方法及超结功率器件

权利要求书

1.外延片，包括衬底和第一外延层，其特征在于，所述的第一外延层电阻率呈同心圆状分布；所述第一外延层相同半径处的电阻率非均匀性不超过5％；所述衬底与第一外延层之间设置有单晶硅层。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，第一外延层自圆心起径向每30毫米宽度环形带内的电阻率非均匀性不超过5％。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，第一外延层自圆心起径向均匀分为三个区域，三个区域径向宽度相同，每个区域内的电阻率非均匀性不超过5％。

4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述的单晶硅层厚度为2～5μm。

5.根据权利要求1或4所述的外延片，其特征在于，所述的单晶硅层为三氯硅烷与氢气在1040℃～1100℃下反应生成。

6.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述的衬底为N型。

7.根据权利要求6所述的外延片，其特征在于，所述的N型衬底掺杂有砷、磷及锑中的至少一种元素。

8.根据权利要求6或7所述的外延片，其特征在于，所述的第一外延层为N型。

9.根据权利要求8所述的外延片，其特征在于，所述的第一外延层掺杂有砷、磷及锑中的至少一种元素。

10.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述的衬底为P型。

11.根据权利要求10所述的外延片，其特征在于，所述的P型衬底掺杂有硼。

12.根据权利要求10或11所述的外延片，其特征在于，所述的第一外延层为P型。

13.根据权利要求12所述的外延片，其特征在于，所述的第一外延层掺杂有硼。

14.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述的第一外延层电阻率自圆心起沿径向增大或减小或交替增大减小或交替减小增大。

15.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述衬底背面具有一氧化层，所述氧化层边缘半径比衬底半径小1-2毫米。

16.权利要求1-4、6-15任一权利要求所述的外延片的生产方法，其特征在于，包括步骤：

提供一衬底；将衬底背面氧化形成一氧化层；将所述氧化层边缘蚀刻1-2毫米；

在所述衬底上沉积单晶硅层；

在所述单晶硅层表面沉积第一外延层。

17.根据权利要求16所述的外延片的生产方法，其特征在于，所述的单晶硅层为三氯硅烷与氢气在1040℃～1100℃下反应生成。

18.超结功率器件，其特征在于，包括权利要求1至15任一权利要求所述的外延片。

19.根据权利要求18所述的超结功率器件，其特征在于，包括所述的外延片，所述外延片的外延层设有环绕圆心的沟槽；所述沟槽内填充有与第二外延层，所述第二外延层覆盖所述第一外延层并嵌入所述沟槽内；所述第一外延层与第二外延层材料不同。

20.根据权利要求19所述的超结功率器件，其特征在于，所述衬底为N型，第一外延层为N型；所述第二外延层为P型；或者所述衬底为P型，第一外延层为P型；所述第二外延层为N型。