[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的平板显示器

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年2月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0010388的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

实施例涉及半导体器件和包括该半导体器件的平板显示器（FPD），更具体地说，涉及包括薄膜晶体管（TFT）和电容器的半导体器件以及包括该半导体器件的平板显示器。

背景技术

典型的半导体器件可以包括薄膜晶体管和电容器。TFT包括：半导体层，其用于提供沟道区、源区和漏区；栅电极，其设置在沟道区的半导体层上并且通过栅绝缘层与半导体层电绝缘；以及源电极和漏电极，其连接到源区和漏区的半导体层上。电容器可以包括两个电极和介于这两个电极之间的介电层。

发明内容

根据实施例，提供一种半导体器件，包括：位于衬底上的半导体层；栅电极，通过栅绝缘层与所述半导体层电绝缘；位于所述栅绝缘层和所述栅电极上的绝缘层；以及位于所述绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极与所述半导体层连接，并且所述源电极和所述漏电极之一与所述栅电极的至少一部分重叠。所述源电极和所述漏电极之一、所述绝缘层和所述栅电极可以彼此重叠，以便提供电容器。

所述绝缘层可以包括暴露所述半导体层的接触孔。所述源电极和所述漏电极可以通过所述接触孔与所述半导体层连接。

根据实施例，提供一种平板显示器（FPD），包括：第一薄膜晶体管（TFT），与扫描线和数据线连接；第二TFT，与所述第一TFT连接；以及发光元件，与所述第二TFT连接。所述第二TFT包括：位于衬底上的半导体层；栅电极，通过栅绝缘层与所述半导体层电绝缘；位于所述栅绝缘层和所述栅电极上的绝缘层；以及位于所述绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极与所述半导体层连接，并且所述源电极与所述栅电极的至少一部分重叠。所述源电极、所述绝缘层和所述栅电极可以彼此重叠，以便提供与所述第二TFT集成在一起的电容器。

所述绝缘层包括暴露所述半导体层的接触孔。所述源电极和所述漏电极可以通过所述接触孔与所述半导体层连接。

所述第二TFT的所述源电极可以与电源电压连接。所述第二TFT的所述漏电极可以与所述发光元件连接。

所述发光元件可以包括阳极、有机发光层和阴极。所述阳极可以与所述第二TFT的所述漏电极连接。

附图说明

附图与说明书一起例示示例性实施例，并且与说明书一起用来说明示例性实施例。

图1是图示根据实施例的半导体器件的布局图。

图2是图示半导体器件和平板显示器（FPD）的实施例的剖面图。

图3是图示FPD的实施例的电路图。

图4A、图5A和图6A是图示FPD的另一实施例的电路图。

图4B、图5B和图6B是图示图4A、图5A和图6A的实施例的布局图。

具体实施方式

2012年2月1日在韩国知识产权局提交的题为“Semiconductor device and flat panel display device having the same（半导体器件和具有该半导体器件的平板显示器件）”的韩国专利申请No.10-2012-0010388，通过引用全部合并于此。

现在将在下面对照附图更充分地描述示例实施例，然而它们可以以不同的形式体现并且不应被解释为局限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例以使本公开全面完整，并且更充分地向本领域技术人员传达本公开的范围。

图1是图示根据实施例的半导体器件的布局图。

在根据该实施例的半导体器件中，薄膜晶体管（TFT）T和电容器Cst彼此集成在一起。TFT T可以包括半导体层20、栅电极40、源电极60a和漏电极60b，栅电极40设置在半导体层20的沟道区上，源电极60a和漏电极60b连接到半导体层20的源区和漏区。电容器Cst包括彼此重叠布置的栅电极40和源电极60a或者彼此重叠布置的栅电极40和漏电极60b。

图2是沿图1的线I1-I2截取的剖面图。下面将详细地描述根据该实施例的半导体器件。

参考图1和图2，在衬底10上形成半导体层20，并且在包括半导体层20的衬底10上形成栅绝缘层30。