[发明专利]CMOS图像传感器像素感光电路

说明书

技术领域

本发明涉及CMOS图像传感器技术领域，尤其是一种CMOS图像传感器像素感光电路。

背景技术

目前市场上的CMOS传感器大多采用金属连线，金属连线的连线阻值较小，布线区面积较大，往往部分光线的收集量会因金属线形成厚的介质层阻挡而受影响。

发明内容

为了克服现有的技术的不足，本发明提供了一种CMOS图像传感器像素感光电路。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种CMOS图像传感器像素感光电路，包括复位晶体管、电源电压、行选择晶体管、放大晶体管、信号输出端，电源电压依次连接复位晶体管、行选择晶体管、放大晶体管和信号输出端，行选择晶体管与复位晶体管相互垂直，与放大晶体管相互平行，复位晶体管和放大晶体管通过电路连线连接，电路连线采用两条多晶硅连线和一条金属线组合而成。

本发明的有益效果是，多晶硅连线阻值为金属连线的80倍左右，两条多层硅连线加一条金属走线的设计减少布线面积，使介质层变薄，增加了传感器的感光灵敏度。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明的结构示意图；

图中1、复位晶体管，2、电源电压,3、行选择晶体管，4、信号输出端，5、放大晶体管，6、电路连线。

具体实施方式

如图1是本发明的结构示意图，一种CMOS图像传感器像素感光电路，包括复位晶体管1、电源电压2、行选择晶体管3、放大晶体管5、信号输出端4，电源电压2依次连接复位晶体管1、放大晶体管5、行选择晶体管3和信号输出端4，行选择晶体管3与复位晶体管1相互垂直，与放大晶体管5相互平行，复位晶体管1和放大晶体管5通过电路连线6连接，电路连线6采用两条多晶硅连线和一条金属线组合而成。采用复位晶体管与其他两个晶体管垂直放置的布局，在像素间距较小的情况下降低了布线区的面积，提高了其填充系数。两条多层硅连线加一条金属走线的设计减少了布线层数，使介质层变薄，增加了传感器的感光灵敏度。

具体实施例一：采用复位晶体管与其他两个晶体管垂直放置的布局，在像素间距较小的情况下降低了布线区的面积，提高了其填充系数。两条多层硅连线加一条金属走线的设计增加了减少了布线层数，使介质层变薄，增加了传感器的感光灵敏度。本发明有效提高了传感器的感光灵敏度。