[发明专利]固体拍摄装置及其制造方法

权利要求书

1.一种固体拍摄装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

光电二极管，其设置在上述半导体基板内，具有第1导电型半导体层；

屏蔽层，其设置在上述光电二极管之上，上部或整体包括第2导电型半导体层；以及

传送晶体管，其设置在上述半导体基板，向浮置扩散层传送在上述光电二极管蓄积的电荷，

上述屏蔽层的顶面比上述半导体基板的顶面高。

2.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其特征在于，

上述屏蔽层包括外延层。

3.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其特征在于，

上述屏蔽层包含与上述传送晶体管的栅极电极相同的材料。

4.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其特征在于，

上述光电二极管的顶面比上述半导体基板的顶面低。

5.一种固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体基板内形成具有第1导电型半导体层的光电二极管的工序；

在上述光电二极管上方的半导体基板上形成外延层的工序；

在上述外延层导入第2导电型杂质，在上述光电二极管之上形成上部或整体包括第2导电型半导体层的屏蔽层的工序；以及

在上述半导体基板形成向浮置扩散层传送在上述光电二极管蓄积的电荷的传送晶体管的工序。

6.根据权利要求5所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

上述屏蔽层的顶面比上述半导体基板的顶面高。

7.根据权利要求5所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

上述光电二极管的顶面比上述半导体基板的顶面低。

8.根据权利要求5所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

通过仅仅在上述半导体基板露出的区域生长半导体层的选择性生长，形成上述外延层。

9.根据权利要求5所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，还具备：

在上述半导体基板中上述外延层形成的区域以外，形成不使外延层生长的保护膜的工序。

10.一种固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体基板内，形成具有第1导电型第1半导体层的光电二极管的工序；

在上述半导体基板上，形成向浮置扩散层传送上述光电二极管蓄积的电荷的传送晶体管的栅极电极用的第2半导体层的工序；

在上述光电二极管上方的半导体基板上，形成包含与上述栅极电极相同材料的第3半导体层的工序；

在上述第3半导体层导入第2导电型杂质，在上述光电二极管之上形成上部或整体包括第2导电型的半导体层的屏蔽层的工序；以及

在上述半导体基板形成上述传送晶体管的工序。

11.根据权利要求10所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

上述屏蔽层的顶面比上述半导体基板的顶面高。

12.根据权利要求10所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

上述光电二极管的顶面比上述半导体基板的顶面低。

13.根据权利要求10所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

上述第2及第3半导体层同时形成。

14.根据权利要求10所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

上述第2及第3半导体层由CVD法形成。

15.根据权利要求10所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

上述第2及第3半导体层包含多晶硅。

16.权利要求10所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，还具备：

在上述第3半导体层导入第2导电型杂质的工序前，形成覆盖上述半导体基板中上述第3半导体层以外的区域的抗蚀剂的工序。