[发明专利]一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法有效
| 申请号： | 201210313383.9 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103633549A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李江;廖新胜;张丽芳;江先锋;孙博书 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹毅 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 阵列 芯片 封装 方法 | ||
1.一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1）将氮化铝散热片（2）按照半导体激光器的巴条尺寸切割；
步骤2）将氮化铝散热片（2）与无氧铜热沉块（1）用焊料焊接于一起，并按照半导体激光器巴条上的单芯片（3）排列周期将氮化铝散热片（2）切割出电绝缘槽（4）；
步骤3）用特殊设计的机械夹具及氧化铝陶瓷垫片将氮化铝散热片、焊料及半导体激光器bar条压合于一起，并将其置入高温回流炉中进行高温焊接，最高温度达280℃；
步骤4）用高速旋转的切片沿半导体激光器巴条芯片之间的切槽方向将巴条切割开，使得巴条上的芯片变成独立的单芯片（3）；
步骤5）用打线机将独立的单芯片（3）阴极与相邻单芯片（3）的阳极金线连接，并将平行排列的集成的半导体激光器巴条上的芯片一端的阴极和另一端的阳极分别连接到无氧铜热沉块（1）的电极片（5）上，以备电性连接外部电源。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列单芯片的封装方法，其特征在于：整个封装过程所使用焊料为金锡硬焊料，实现无烟焊接。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列单芯片的封装方法，其特征在于：所述氮化铝散热片（2）为陶瓷材质。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列单芯片的封装方法，其特征在于：所述氮化铝散热片（2）的表面镀金电绝缘，散热片厚度为0.15mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州长光华芯光电技术有限公司，未经苏州长光华芯光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210313383.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
