[发明专利]体电容器和方法

权利要求书

1.一种体电容器，包括：

由金属箔形成的第一电极，

沉积在所述金属箔上的半导电多孔陶瓷体，形成于所述多孔陶瓷体上的电介质层，以及

覆盖所述电介质层的导电介质，所述导电介质填充多孔陶瓷体的至少一部分并且形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的体电容器，还包括封装所述多孔陶瓷体的导电金属层。

3.根据权利要求1所述的体电容器，还包括设置于所述金属箔和所述多孔陶瓷体之间的半导电陶瓷层。

4.根据权利要求1所述的体电容器，其中所述导电介质包括导电聚合物。

5.根据权利要求1所述的体电容器，其中所述多孔陶瓷体和所述电介质层的组合具有500-50000范围内的介电常数（K）。

6.根据权利要求1所述的体电容器，其中在所述多孔陶瓷体和所述金属箔上形成所述电介质层。

7.根据权利要求1所述的体电容器，其中所述电介质层是薄膜电介质层，并且其中在沉积所述薄膜电介质层之后，得到的所述多孔陶瓷体形状基本保持未变。

8.一种制造体电容器的方法，所述方法包括：

在包括金属箔的第一电极上形成半导电多孔陶瓷体，

氧化所述多孔陶瓷体以形成电介质层，

在所述电介质层上涂布导电介质，以及

利用所述导电介质填充所述多孔陶瓷体并且形成第二电极。

9.根据权利要求8所述的方法，包括利用导电金属层封装所述多孔陶瓷体。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述金属箔和所述多孔陶瓷体之间形成半导电陶瓷层。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述金属箔中形成几何轮廓。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，以加热方式执行所述氧化。

13.根据权利要求8所述的方法，其中以电化学方式执行所述氧化。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述导电介质包括导电聚合物。

15.根据权利要求8所述的方法，其中所述多孔陶瓷体和所述电介质层的组合具有500-50000范围内的介电常数（K）。

16.根据权利要求8所述的方法，其中所述电介质层是薄膜电介质层，并且其中在沉积所述薄膜电介质层之后，得到的所述多孔陶瓷体形状基本保持未变。

17.一种体电容器，包括：

由金属箔形成的第一电极，沉积在所述金属箔上的半导电多孔陶瓷体，形成于所述多孔陶瓷体上的电介质层，

填充多孔陶瓷体的至少一部分从而形成第二电极的导电介质，以及

耦合到所述第一电极的第一电引线和耦合到所述第二电极的第二电引线，

其中所述第一电引线和所述第二电引线被配置成与位于安装基板上的第一和第二导电焊盘配合。

18.根据权利要求17所述的体电容器，其中所述第一和第二电极通过导电粘合剂结合到所述第一和第二导电焊盘。

19.根据权利要求18所述的体电容器，还包括设置于所述第一和第二电引线之间的不导电粘合剂。