[发明专利]共模扼流线圈及其制造方法

权利要求书

1.一种共模扼流线圈，是在第1磁性层上层叠有非磁性层和第2磁性层，在该非磁性层中包含2个对置的导体线圈的共模扼流线圈，其中，

非磁性层由烧结玻璃陶瓷构成，

导体线圈由含铜导体构成，

第1磁性层和第2磁性层的至少一方由包含Fe₂O₃、Mn₂O₃、NiO、ZnO、CuO的烧结铁素体材料构成，

该烧结铁素体材料中，

CuO换算含量为5mol％以下，以及

Fe₂O₃换算含量为25mol％～47mol％并且Mn₂O₃换算含量为1mol％以上且低于7.5mol％，或Fe₂O₃换算含量在35mol％～45mol％且Mn₂O₃换算含量为7.5mol％～10mol％。

2.根据权利要求1所述的共模扼流线圈，其中，第1磁性层与第2磁性层穿过配置于非磁性层中的2个导体线圈的线圈内部地进行连接。

3.一种共模扼流线圈的制造方法，是在第1磁性层上层叠有非磁性层和第2磁性层，在该非磁性层中包含2个对置的导体线圈的共模扼流线圈的制造方法，包括：

由含铜导体形成所述导体线圈，

在含铜导体的存在下，在Cu-Cu₂O平衡氧分压以下的氧分压下对玻璃陶瓷进行煅烧，从而至少部分形成所述非磁性层，

使用如下的铁素体材料，在含铜导体的存在下，在Cu-Cu₂O平衡氧分压以下的氧分压下对该铁素体材料进行煅烧，由此形成所述第2磁性层，所述铁素体材料包含Fe₂O₃、Mn₂O₃、NiO、ZnO、CuO，其中，

CuO含量为5mol％以下，以及

Fe₂O₃含量为25mol％～47mol％且Mn₂O₃含量为1mol％以上且低于7.5mol％，或Fe₂O₃含量为35mol％～45mol％且Mn₂O₃含量为7.5mol％～10mol％。

4.根据权利要求3所述的共模扼流线圈的制造方法，其中，作为所述第1磁性层使用烧结铁素体材料。

5.根据权利要求3所述的共模扼流线圈的制造方法，还包括：

使用如下的铁素体材料，在含铜导体的存在下，在Cu-Cu₂O平衡氧分压以下的氧分压下对该铁素体材料进行煅烧，从而形成所述第1磁性层，所述铁素体材料包含Fe₂O₃、Mn₂O₃、NiO、ZnO、CuO，其中，

CuO含量为5mol％以下，以及

Fe₂O₃含量为25mol％～47mol％且Mn₂O₃含量为1mol％以上且低于7.5mol％，或Fe₂O₃含量为35mol％～45mol％且Mn₂O₃含量为7.5mol％～10mol％；

并且，同时实施用于形成所述非磁性层的煅烧、用于形成所述第2磁性层的煅烧以及用于形成所述第1磁性层的煅烧。