[发明专利]高温多晶硅压力传感器

权利要求书

1.一种高温多晶硅压力传感器，包括壳体、弹性盖、感应片、引出导线、膜片和膜片基座，所述膜片基座分别设置于所述壳体底部的两端，所述膜片的两端分别固定于所述膜片基座上，其特征在于：所述膜片由氮化硅钝化层、纳米多晶硅层、氮化铝绝缘隔膜层和硅单晶层组成，所述纳米多晶硅层位于所述氮化硅钝化层的下表面和所述氮化铝绝缘隔膜层的上表面之间，所述硅单晶层位于所述氮化铝绝缘隔膜层的下表面。

2.根据权利要求1所述的高温多晶硅压力传感器，其特征在于：所述氮化铝绝缘隔膜层的厚度约为0.5 μm。

3.根据权利要求1所述的高温多晶硅压力传感器，其特征在于：所述氮化硅钝化层的厚度为0.1 μm。

4.根据权利要求1所述的高温多晶硅压力传感器，其特征在于：所述纳米多晶硅层的厚度为0.5 μm。

5.根据权利要求1所述的高温多晶硅压力传感器，其特征在于：所述硅单晶层的厚度为1μm。

6.根据权利要求1所述的高温多晶硅压力传感器，其特征在于：所述感应片采用电阻片，所述电阻片的个数为4个。

7.根据权利要求1所述的高温多晶硅压力传感器，其特征在于：所述感应片分别位于所述膜片的四个顶角，所述感应片与所述膜片的长边之间的夹角为45°。