[发明专利]图像传感器的晶圆级封装的制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器的晶圆级封装的制作方法，其特征在于，包括：

提供形成有多个图像传感器的晶圆，所述图像传感器一侧的表面具有引脚，所述图像传感器另一侧表面具有第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述图像传感器的表面和侧壁；

在每一图像传感器引脚对应区域的第一绝缘层内形成通孔，所述通孔暴露出图像传感器引脚；

在所述第一绝缘层表面形成焊盘，并在第一绝缘层表面和通孔侧壁形成金属线层，所述金属线层与焊盘和图像传感器引脚电连接；

去除相邻图像传感器之间区域的金属线层，暴露出金属线层侧壁；

形成包裹所述金属线层侧壁的第二绝缘层；

在第二绝缘层包裹所述金属线层侧壁后，切割晶圆，形成独立的图像传感单元，所述图像传单元中金属线层侧壁由第二绝缘层包裹。

2.如权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装的制作方法，其特征在于，去除相邻两个图像传感器之间区域的金属线层的方法为：湿法刻蚀工艺。

3.如权利要求2所述的图像传感器的晶圆级封装的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为由磷酸、硝酸和乙酸组合而成的三酸蚀刻液，所述三酸蚀刻液的比重为1.5-1.6，刻蚀温度为40摄氏度-60摄氏度。

4.如权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装的制作方法，其特征在于，去除相邻两个图像传感器之间区域的金属线层的方法为激光刻蚀工艺。

5.如权利要求4所述的图像传感器的晶圆级封装的制作方法，其特征在于，所述激光刻蚀时的激光功率为2瓦-10瓦。

6.如权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装的制作方法，其特征在于，在每一图像传感器引脚对应区域的第一绝缘层内形成通孔的个数为一个或多个。

7.如权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为环氧树脂。

8.如权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为10微米-20微米。

9.如权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装的制作方法，其特征在于，还包括：刻蚀与所述焊盘相对应处的所述第二绝缘层，直至暴露出焊盘；在所述焊盘表面形成焊点。

10.如权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装的制作方法，其特征在于，还包括：提供基板，所述晶圆位于基板表面，且图像传感器的感光单元靠近所述基板表面；位于所述基板和晶圆之间的通孔基板，所述通孔基板暴露出图像传感器的感光单元。

11.如权利要求10所述的图像传感器的晶圆级封装的制作方法，其特征在于，所述通孔基板的材料为陶瓷、玻璃、BT树脂、耐燃材料或高聚物光刻材料。