[发明专利]等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201210315231.2 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103681300A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 武小娟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/305;H05H1/30 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海;宋合成 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
腔体，所述腔体内限定有反应腔室；
介质窗，所述介质窗设置为所述反应腔室的顶板；
晶圆承载装置，其设置于所述反应腔室的底部且与所述介质窗相对；
射频线圈，所述射频线圈放置于所述介质窗上方，用于在反应腔室内生成等离子体；以及
加热器，所述加热器构造成对所述介质窗进行均匀加热。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述加热器设置于所述介质窗的上表面、所述介质窗的下表面和所述介质窗的内部中的至少一处，且所述加热器由绝缘材料包覆。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述加热器设置于所述介质窗与所述射频线圈之间，用于对所述介质窗进行加热，所述加热器由绝缘材料包覆。
4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述加热器包括：
多个加热片，所述多个加热片呈放射状地分布。
5.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述加热器包括：
加热环；以及
多个加热片，所述多个加热片自所述加热环的中心沿径向延伸与所述加热环相连，所述多个加热片在所述加热环的周向方向上彼此间隔设置。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述多个加热片在所述加热环的周向方向上均匀分布。
7.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述绝缘材料为聚酰亚胺。
8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：
温度检测部件，所述温度检测部件用于检测所述介质窗的温度；
加热器电源，所述加热器电源用于对所述多个加热片供电；以及
控制部件，所述控制部件与所述温度检测部件和所述加热器电源相连，从而在所述温度检测部件的检测值低于预定值时启动所述加热器电源且在所述温度检测部件的检测值高于预定值时关闭所述加热器电源。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述温度检测部件为红外线测温传感器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
