[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，作为在硅基板上形成硅锗膜之前的工序对所述硅基板进行处理，其特征在于，

包括：

a）除去硅基板的一个主面上的硅氧化膜的工序；

b）供给硅烷化材料来对所述主面进行硅烷化处理的工序。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述a）工序包括：

a1）将用于除去所述硅氧化膜的除去液供给至所述主面的工序，

a2）将冲洗液供给至所述主面的工序；

使所述除去液及所述冲洗液中的至少一种溶液的氧浓度降低。

3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在所述硅基板上形成有晶体管用图案。

4.一种基板处理装置，作为在硅基板上形成硅锗膜之前的工序对所述硅基板进行处理，其特征在于，

具有：

氧化膜除去部，其用于除去硅基板的一个主面上的硅氧化膜；

硅烷化处理部，其供给硅烷化材料来对所述主面进行硅烷化处理。

5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述氧化膜除去部具有：

除去液供给部，其将用于除去所述硅氧化膜的除去液供给至所述主面；

冲洗液供给部，其将冲洗液供给至所述主面；

氧浓度降低部，其使所述除去液及所述冲洗液中的至少一种溶液的氧浓度降低。

6.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，还具有用于从所述氧化膜除去部向所述硅烷化处理部移动硅基板的基板移动机构。

7.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，还具有用于从所述氧化膜除去部向所述硅烷化处理部移动硅基板的基板移动机构。

8.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述氧化膜除去部及所述硅烷化处理部共用用于保持所述硅基板的保持部。

9.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述氧化膜除去部及所述硅烷化处理部共用用于保持所述硅基板的保持部。

10.如权利要求4至9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，在所述硅基板上形成有晶体管用图案。