[发明专利]在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法有效
申请号: | 201210315544.8 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN103668141A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 许鹏程;于海涛;李昕欣;徐铁刚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C23C18/44 | 分类号: | C23C18/44;C04B35/628 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 许亦琳;余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 石墨 表面 生长 贵金属 纳米 方法 | ||
1.一种在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,包括以下步骤:
1)将氧化石墨烯加入到预热后的油胺中混合,制备氧化石墨烯均匀分散于油胺中的悬浮液;
2)加入贵金属前驱体,进行初步混合反应;
3)升高温度,进一步混合反应;
4)分离出固体产物,洗涤、烘干即得到具有贵金属纳米晶负载的氧化石墨烯产品。
2.如权利要求1所述的在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,其特征在于,所述氧化石墨烯指的是表面具有含氧官能团修饰的石墨烯。
3.如权利要求2所述的在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,其特征在于,所述含氧官能团选自羟基、羧基、羰基和环氧基。
4.如权利要求1所述的在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,其特征在于,氧化石墨烯均匀分散于油胺中形成的分散物浓度以a表示,0<a≤20毫克氧化石墨烯每毫升油胺;贵金属前驱体和氧化石墨烯的投料比以b表示,0<b≤5毫摩尔贵金属前驱体每克氧化石墨烯。
5.如权利要求1所述的在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,其特征在于,所述贵金属包括金、银、铂、钯、铑、钌和铱。
6.如权利要求1所述的在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,其特征在于,所述贵金属前驱体选自贵金属的卤化物、贵金属的硝酸盐、贵金属的酸和贵金属酸盐。
7.如权利要求1所述的在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,其特征在于,所述贵金属前驱体选自氯化钯、硝酸银、四水合氯金酸和氯铂酸钾。
8.如权利要求1所述的在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,其特征在于,步骤4)所述洗涤的洗涤剂为非极性烷烃类溶剂。
9.如权利要求8所述的在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,其特征在于,所述非极性烷烃类溶剂选自正己烷、环己烷和正庚烷。
10.如权利要求1所述的在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,其特征在于,步骤2)或步骤3)所述混合反应的时间为10分钟。
11.如权利要求1所述的在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,其特征在于,步骤3)中所述的升高温度,温度升高到160℃~300℃。
12.如权利要求1-11任一所述的在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,其特征在于,步骤3)所述的升高温度的过程为一步升温或分步升温。
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C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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