[发明专利]三维偏置印录存储器

权利要求书

1.一种三维偏置印录存储器，其特征在于包括：

一半导体衬底；

多个堆叠在该衬底上并与之耦合的存储层，所述多个存储层相互堆叠，每个存储层含有至少一层数据录入膜，该数据录入膜中的图形代表一数码阵列；

一可设置输入/输出，该可设置输入/输出根据该存储器中数码阵列序列来设置该存储器的输入/输出。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于包括：一存储手段，该存储手段存储与所述数码阵列序列相关的信息。

3.一种三维偏置印录存储器，其特征在于包括：

一半导体衬底；

多个堆叠在该衬底上并与之耦合的存储层，所述多个存储层相互堆叠，每个存储层含有至少一层数据录入膜，该数据录入膜中的图形代表一数码阵列；

在同一批次所述三维偏置印录存储器中，所有存储器均含有同样一组数码阵列集合；在至少两个存储器中，数码阵列序列不同。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征还在于包括：一可设置输入/输出电路，该可设置输入/输出电路根据该存储器中数码阵列序列设置该存储器的输入/输出。

5.根据权利要求3所述的存储器，其特征还在于：

所述批次中含有第一和第二存储器，该第一和第二存储器均含有第一和第二存储层，所述第二存储层位于所述第一存储层之上；其中，

所述第一存储器中的所述第一存储层存储第一数码阵列，所述第一存储器中的所述第二存储层存储第二数码阵列；

所述第二存储器中的所述第一存储层存储第二数据图形，所述第二存储器中的所述第二存储层存储第一数据图形。

6.根据权利要求3所述的存储器，其特征还在于：

所述批次中含有第一和第二存储器，所述第一和第二存储器均含有一存储层，该存储层含有第一和第二数据录入膜，所述第一数据录入膜位于所述第二数据录入膜之上；其中，

所述第一存储器中的所述第一数据录入膜存储第一数码阵列，所述第一存储器中的所述第二数据录入膜存储第二数码阵列；

所述第二存储器中的所述第一数据录入膜存储第二数码阵列，所述第二存储器中的所述第二数据录入膜存储第一数码阵列。

7.根据权利要求1和3所述的存储器是一个三维存储封装的一部分，该三维存储封装的特征还在于包括：多个相互堆叠的三维偏置印录存储器。

8.一种制造三维偏置印录存储器的方法，其特征在于包括如下步骤：

1）在一半导体衬底上形成一衬底电路；

2）在该衬底电路上方形成一存储层，该存储层含有至少第一数据录入膜，在该第一数据录入膜中形成数据图形时，该衬底与一数据图形承载装置的第一位置对准；

3）在第一数据录入膜上方形成第二数据录入膜，在该第二数据录入膜中形成数据图形时，该衬底与所述数据图形承载装置的第二位置对准。

9.根据权利要求8所述的存储器制造方法，其特征还在于：该存储器所需数据图形承载装置的数目小于该存储器中数据录入膜的数目。

10.根据权利要求8所述的存储器制造方法，其特征还在于：所述数据图形由光刻法（photo-lithography）或压印法（imprint-lithography）形成。