[发明专利]一种镍热敏薄膜电阻加工方法

权利要求书

1.一种镍热敏薄膜电阻加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：清洗普通硅片，去除表面原生氧化层、有机物污染，然后干燥；

步骤2：以普通硅片作为基片，在硅片的抛光面生长底层SiO₂膜或Si₃N₄膜；

步骤3：在SiO₂膜或Si₃N₄膜表面上溅射镍膜；

步骤4：在镍膜表面上溅射铜膜；

步骤5：在铜膜表面上溅射金属膜，所述金属膜电阻率ρ₁与镍膜电阻率ρ₂满足：ρ1≤ρ25;]]>

步骤6：旋涂光刻胶，对金属膜进行光刻、显影，湿法腐蚀金属膜，形成金属锚点；

步骤7：继续腐蚀铜膜，形成铜连接层，去除光刻胶；

步骤8：旋涂光刻胶，对镍膜进行光刻、显影，对镍膜进行腐蚀，去除光刻胶，形成镍丝热敏电阻；划片，得到以SiO₂膜或Si₃N₄膜为隔热层的镍热敏电阻。

2.一种如权利要求1所述的镍热敏薄膜电阻加工方法，其特征在于，所述步骤8划片前对镍丝热敏电阻进行热处理。