[发明专利]双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物有效
申请号: | 201210316161.2 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN102816301A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 高潮;王维平;武海梅;陈键;弥育华;安忠维;陈冬 | 申请(专利权)人: | 西安近代化学研究所 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;H01L51/46 |
代理公司: | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人: | 李郑建 |
地址: | 710065 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 噻吩 环锗戊二烯 氟代喹喔啉 共轭 聚合物 | ||
技术领域
本发明属于功能高分子领域,具体涉及一种双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物。
背景技术
能源是未来世界各国社会经济发展的战略基础,太阳能是一种取之不尽、用之不竭的无污染洁净能源,是最有应用前景的能源之一。将太阳能直接转换为电能和热能一直是科学家研究的重点。1954年,美国贝尔研究所成功地研制出硅太阳能电池,开创了光电转换研究的先河,然而硅电池原料成本高,生产工艺复杂,而且材料本身不利于降低成本,限制了它的更广泛使用。开发低成本太阳电池的有效途径之一就是从材料入手,寻找廉价、环境稳定性高、具有良好光伏效应的新型太阳电池材料。
作为第三代太阳能电池,聚合物太阳能电池具有低成本、柔性好、易制备等明显的优点,通过材料的改性可以有效地提高太阳能电池的性能。因此,这类太阳能电池具有重要发展和应用前景,成为目前聚合物光伏电池研究的前沿和重点。目前,聚合物电池仍存在转换效率的问题。开发高效的共轭聚合物给体和受体材料来提高其光电能量转换效率是该领域目前研究的焦点。就给体材料而言,为了获得良好性能的聚合物材料,将富电子单元(D)与缺电子单元(A)交替引入共轭聚合物的主链形成的给-受体(D-A-D)型聚合物成为目前给体聚合物研究的重点。
最近,研究者设计合成了一种基于喹喔啉的给-受体型共聚物,具有较好的转换效率。曹镛等合成PECz-DTQX,与PCBM共混得到的光电转换效率达到6.07%[Adv.Mater.2011,23(27),3086-3089]。氟原子的吸电子特性常被引入材料缺电单元中,降低给体材料的HOMO能级,提高电池的开路电压。Yu Luping等合成聚合物PTB5的HOMO能级为-5.01ev,引入氟原子后聚合物的HOMO能级降低为-5.12ev,其开路电压提升了0.08V,[L.Yu,et al.J.Am.Chem.Soc.2009,131,7792-7799],氟原子的拉电子特性很好的体现出来。鉴于以上所述氟原子对材料性能的影响,在喹喔啉这种缺电子单元上引入氟原子制备新型的含氟给-受体型聚合物有望进一步降低HOMO,提升开路电压,从而提高器件光伏性能,但是迄今还未见有关此类材料的制备及其应用于聚合物光伏电池中的研究和报道。
发明内容
针对现有技术存在的缺陷或不足,本发明的一个目的在于提供一种双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物,以满足聚合物光伏电池光活化层电子给体材料的需要。
本发明的另一个目的是将得到的双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物用于制备聚合物光伏电池中的应用,利用氟原子的拉电子特性,降低聚合物材料的HOMO能级,进而提升聚合物光伏电池的开路电压。
为了实现上述任务,本发明采取如下的技术解决方案:
一种双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物,其特征在于,结构通式如式I所示:
式中,R1=H或F;R2是:间位或对位碳原子数为4到20的直链或支链的烷氧基苯基;或者是:碳原子数为4到20的直链或支链的2-烷基噻吩基或2,3-二烷基噻吩基。
本发明提供一种优选的双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物A,其结构如式Ⅱ所示:
本发明另一种提供优选的双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物B,其结构如式Ⅲ所示:
本发明提供又一种优选的双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物C,其结构式如式Ⅳ所示:
本发明提供再一种优选的双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物D,其结构式如式Ⅴ所示:
本发明还提供一种优选的双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物E,其结构式如式Ⅵ所示:
本发明再提供另一种优选的双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物F,其结构式如式Ⅶ所示:
上述双噻吩并环锗戊二烯-氟代喹喔啉共轭聚合物,其聚合反应采用如Scheme 1所示的反应方程式进行。
具体的合成步骤如下:
(1)缺电单元含氟喹喔啉及其衍生物的制备
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安近代化学研究所,未经西安近代化学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210316161.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:台面型反向阻断二极晶闸管芯片
- 下一篇:保护装置仿真仪