[发明专利]一种悬空热敏薄膜电阻的加工方法

权利要求书

1.一种悬空热敏薄膜电阻的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：清洗普通硅片，去除表面原生氧化层、有机物污染，然后干燥；

步骤2：以普通硅片作为基片，在硅片的抛光面生长底层SiO₂膜或Si₃N₄膜；

步骤3：在SiO₂膜或Si₃N₄膜表面上溅射热敏元件薄膜；

步骤4：在热敏元件薄膜表面上溅射金属电连接膜，所述金属电连接膜电阻率ρ₁与热敏元件电阻率ρ₂满足：

步骤5：旋涂光刻胶，对金属电连接膜进行光刻、显影，湿法腐蚀金属电连接膜，形成金属电连接锚点；

步骤6：旋涂光刻胶，对热敏元件薄膜进行光刻、显影，湿法腐蚀热敏元件薄膜，去除光刻胶形成热丝薄膜电阻；

步骤7：在普通硅片背面溅射金属阻挡膜；

步骤8：正面、背面旋涂光刻胶，对背面金属阻挡膜进行光刻、显影，湿法腐蚀金属阻挡膜，形成金属阻挡层，去除正面、背面光刻胶；

步骤9：以步骤8形成的金属阻挡层作保护膜，背面ICP干法刻蚀，刻穿普通硅片到SiO₂膜或Si₃N₄膜层；

步骤10：正面旋涂光刻胶，湿法腐蚀背面金属阻挡层至普通硅片，去除光刻胶；划片，得到以SiO₂或Si₃N₄膜为隔热层的悬空热敏薄膜电阻。

2.一种如权利要求1所述的悬空热敏薄膜电阻的加工方法，其特征在于，所述步骤10中，再划片前对悬空热敏薄膜电阻进行热处理。