[发明专利]晶片的分割方法

权利要求书

1.一种晶片的分割方法，将由分割预定线划分而在表面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该晶片的分割方法包括：

改质层形成步骤，将相对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位到分割预定线的内部来进行照射，在沿着该分割预定线的晶片的内部，形成从该晶片的表面附近到背面附近的改质层；以及

蚀刻步骤，将蚀刻气体或蚀刻液供给到该晶片，使该改质层侵蚀而将该晶片分割成各个器件。

2.根据权利要求1所述的晶片的分割方法，其中，

该晶片的分割方法还包括：

耐蚀刻掩模覆盖步骤，在实施所述改质层形成步骤之前，在晶片的背面覆盖耐蚀刻掩模；以及

耐蚀刻掩模去除步骤，沿着该分割预定线来去除该耐蚀刻掩模，

所述改质层形成步骤是通过从晶片的背面侧对去除了该耐蚀刻掩模的部分照射激光光线来实施的。

3.根据权利要求1所述的晶片的分割方法，其中，

该晶片的分割方法还包括：

耐蚀刻掩模覆盖步骤，在实施所述改质层形成步骤之前，在晶片的表面覆盖耐蚀刻掩模；以及

耐蚀刻掩模去除步骤，沿着该分割预定线去除该耐蚀刻掩模，

所述改质层形成步骤是通过从晶片的表面侧对去除了该耐蚀刻掩模的部分照射激光光线来实施的。