[发明专利]氟代喹喔啉化合物有效
申请号: | 201210316600.X | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN102827088A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 高潮;武海梅;王维平;丛志远;田地;安忠维;刘建群 | 申请(专利权)人: | 西安近代化学研究所 |
主分类号: | C07D241/42 | 分类号: | C07D241/42;C07D409/14;H01L51/46 |
代理公司: | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人: | 李郑建 |
地址: | 710065 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氟代喹喔啉 化合物 | ||
技术领域
本发明属于有机化学领域,具体涉及一种氟代喹喔啉化合物。
背景技术
喹喔啉及其衍生物因结构中含有两个强亲核能力的氮原子,作为一类新型的缺电单元在光电领域备受关注。通过偶联反应和富电单元形成给体-受体-给体(D-A-D)型聚合物,已经应用于聚合物太阳能电池中。
缺电子单元的最高占有轨道(HOMO)能级是影响聚合物太阳能电池开路电压的主要因素,通过在缺电子单元上引入具有吸电子能力的氟原子降低HOMO能,已经成为提升开路电压的一种有效手段。例如2009年Luping Yu等报道的一类PTB系列材料,当在PTB5的缺电单元上引入氟原子获得PTB4后,后者较前者的HOMO能降低0.11eV,开路电压提高0.08V[J.Am.Chem.Soc.2009,131,7792-7799],在J.Am.Chem.Soc.2011,133(12),4625-4631上,You Wei报道了PBnDT-XTAZ,当在缺电单元苯并三唑上引入氟原子后再与相同的富电单元聚合,得到的材料较不含氟材料HOMO能降低0.07eV,开路电压提高0.08V。
因此在喹喔啉这种缺电子单元上引入氟原子制备新型的缺电单元,通过其结构中两端的溴和富电单元聚合制备得到的材料,应用于聚合物光伏电池领域有望获得类似的性能,但是迄今还未见有关此类材料的制备方法和应用的报道。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于,提供一种氟代喹喔啉化合物,该化合物由于在喹喔啉上引入强吸电特性的氟原子,因此能够降低材料的HOMO能级,从而提升聚合物光伏电池的开路电压。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术解决方案:
公开了一种氟代喹喔啉化合物,其结构通式如式Ⅰ所示:
式中,R1:为H或F原子;
式中,R2:间位或对位碳原子数为4到20的直链或支链的烷氧基苯基,或者碳原子数为4到20的直链或支链的2-烷基噻吩基或2,3-二烷基噻吩基;
R3:H或碳原子数为4到20的直链或支链的烷基;
R4:H或碳原子数为4到20的直链或支链的烷基;
n=0,1或2。
所述的氟代喹喔啉化合物中优选的化合物A,其结构如式Ⅱ所示:
所述的氟代喹喔啉化合物中优选的化合物B,其结构如式Ⅲ所示:
所述的氟代喹喔啉化合物中优选的化合物C,其结构如式Ⅳ所示:
所述的氟代喹喔啉化合物中优选的化合物D,其结构如式Ⅴ所示:
所述的氟代喹喔啉化合物中优选的化合物E,其结构如式Ⅵ所示:
所述的氟代喹喔啉化合物中优选的化合物F,其结构如式Ⅶ所示:
所述的氟代喹喔啉化合物中优选的化合物G,其结构如式Ⅷ所示:
所述的氟代喹喔啉化合物中优选的化合物H,其结构如式Ⅸ所示:
所述的氟代喹喔啉化合物中优选的化合物I,其结构如式Ⅹ所示:
所述氟代喹喔啉化合物的制备方法,按照如Scheme 1所示的反应方案进行:
Scheme 1氟代喹喔啉衍生物的反应历程
具体合成步骤:
将5或5,6位含氟的4,7-二溴-2,1,3-苯并噻二唑溶于无水乙醇中,0℃下分批加入硼氢化钠,然后室温下反应20h,反应结束浓缩除去乙醇,加入适量水,乙酸乙酯萃取,有机相用无水硫酸镁干燥,粗品硅胶柱纯化,得到含氟二胺,然后与1,2-二R2基乙二酮以醋酸为溶剂反应,制得6或6,7位含氟喹喔啉。
将上述6或6,7位含氟喹喔啉与3-R3基-4-R4基噻吩三丁基锡通过Stille偶联反应,所得产物以DMF或THF为溶剂,用NBS进行溴代,得到如式I所示的氟代喹喔啉化合物。
本发明的有益效果:
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