[发明专利]制造薄膜晶体管的方法和制造有机发光显示设备的方法

权利要求书

1.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

在基板上形成半导体图案；

在包括所述半导体图案的所述基板上形成第一绝缘膜、传导膜和金属膜；

在所述金属膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有比所述半导体图案的宽度更窄的宽度；

通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模蚀刻所述金属膜和所述传导膜来形成第一金属图案和传导图案；

通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模进行第一离子注入工序在所述半导体图案中形成源区域和漏区域；

通过灰化工序从所述第一光刻胶图案形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度；

通过使用所述第二光刻胶图案作为掩模蚀刻所述第一金属图案来形成第二金属图案，其中所述第二金属图案具有比所述第二光刻胶图案的宽度更窄的宽度，并且所述第二金属图案和所述传导图案形成栅极；

进行包括去除所述第二光刻胶图案、在所述半导体图案中形成轻掺杂漏LDD区域以及在所述半导体图案中形成栅交叠轻掺杂漏GOLDD区域的处理；

在包括所述栅极的所述基板上形成第二绝缘膜；以及

在所述第二绝缘膜上形成分别电连接到所述源区域和漏区域的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，进行的处理首先通过使用所述第二光刻胶图案作为掩模的第二离子注入工序在所述半导体图案中形成所述LDD区域，接着去除所述第二光刻胶图案，接着通过使用所述第二金属图案作为掩模的第三离子注入工序在所述半导体图案中形成所述GOLDD区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属图案和所述传导图案被过度蚀刻从而具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源区域和所述漏区域在所述半导体图案的被所述第一光刻胶图案露出的相对侧部分形成。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述LDD区域分别形成在所述半导体图案的所述第二光刻胶图案与所述源区域之间以及所述第二光刻胶图案与所述漏区域之间。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述GOLDD区域分别形成在所述半导体图案中、位于所述第二金属图案与所述LDD区域之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，进行的处理首先去除所述第二光刻胶图案，接着通过使用所述第二金属图案作为掩模的第二离子注入工序在所述半导体图案中形成所述LDD区域和所述GOLDD区域。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述GOLDD区域分别形成在所述半导体图案中、位于所述第二金属图案与所述源区域和漏区域之间。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，用所述传导图案调整所述LDD区域和所述GOLDD区域之间的离子密度差。

10.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：

在基板上形成半导体图案；

在包括所述半导体图案的所述基板上形成第一绝缘膜、传导膜和金属膜；

在所述金属膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有比所述半导体图案的宽度更窄的宽度；

通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模蚀刻所述金属膜和所述传导膜来形成第一金属图案和传导图案；

通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模进行第一离子注入工序在所述半导体图案中形成源区域和漏区域；

通过灰化工序从所述第一光刻胶图案形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度；

通过使用所述第二光刻胶图案作为掩模蚀刻所述第一金属图案来形成第二金属图案，其中所述第二金属图案具有比所述第二光刻胶图案的宽度更窄的宽度，并且所述第二金属图案和所述传导图案形成栅极；

进行包括去除所述第二光刻胶图案、在所述半导体图案中形成轻掺杂漏LDD区域以及在所述半导体图案中形成栅交叠轻掺杂漏GOLDD区域的处理；

在所述基板的整个表面上形成第二绝缘膜；

在所述第二绝缘膜上形成分别电连接到所述源区域和漏区域的源极和漏极；

形成电连接到所述漏极的第一电极；

形成具有露出所述第一电极的开口的堤层；以及

在所述第一电极上形成有机发光层和第二电极。