[发明专利]成像光学器

说明书

技术领域

以下实施例是涉及利用电荷耦合装置CCD(Charge Coupled Device)或互补金属氧化物半导体CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等高分辨率图像传感器的成像光学器，特别是，涉及在类似手机等的移动式装置中所使用的成像光学器。

背景技术

最近，移动式装置中装载的成像光学器正趋向高像素化，随着图像传感器的像素尺寸(pixel size)越来越小，也就要求光学器自身的高性能及高度透光率。

但是，现有的光学器中，为实现高性能及高度透光率，整个光学器的长度对收容透镜的空间大小的比例增高，透镜后侧闲置空间变小，且光入射的入射瞳增大，因此很难制造出适合移动式装置的小型产品。

发明内容

技术方案

根据本发明的实施例的微型成像光学器，其作为包含受光元件的成像用光学器，从物体侧按顺序包括：第1透镜，其具备正或负的折射率；第2透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面为凹陷形状；第3透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面和上侧面都为非球面形状；和第4透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面和上侧面都为非球面形状。并且满足以下数学式1至数学式3：数学式1，0.25＜FBL/f＜0.35；数学式2，3.5＜OL/FBL＜4.5；数学式3，f/D≤2.6。其中，FBL是从所述成像光学器结构部分的上侧面端侧至受光元件的距离，OL是以光轴为基准从所述第1透镜的物体侧面至受光元件的距离，f是以光轴为基准所述成像光学器的焦点距离，D是所述成像光学器的入射瞳口径。

根据一个侧面，所述第1透镜的物体侧或所述第1透镜和所述第2透镜之间具备开口光圈。

根据一个侧面，所述第1透镜至第4透镜中任何一个以上的透镜，其折射率的值为1.610(nd基准)以上。

根据一个侧面，所述第2透镜的物体侧面半径为L2R1时，所述第2透镜满足数学式4：-5.0＞L2R1＞-10.0。

根据一个侧面，所述第2透镜的上侧面半径为L2R2，第4透镜的上侧面半径为L4R2时，所述第2及第4透镜满足数学式5：0.5＜L2R2，L4R2＜4.0。

根据一个侧面，所述第1透镜的焦点距离为f1时，所述第1透镜满足数学式6：1.5＜f1＜2.5。

根据一个侧面，所述第2透镜的焦点距离为f2时，所述第2透镜满足数学式7：-4.0＜f2＜-3.0。

附图说明

图1是根据第1实施例的成像光学器的截面图；

图2是根据第2实施例的成像光学器的截面图；

图3a至3c是示出根据第1实施例的成像光学器的像差的图表，其中，图3a是球面像差，图3b是像散，图3c是变形像差；

图4a至4c是示出根据第2实施例的成像光学器的像差的图表，其中，图4a是球面像差，图4b是像散，图4c是变形像差。

附图标记说明

10、20：成像光学器

100、200：光圈

110、120、130、140、210、220、230、240：透镜

150、250：滤光器

160，260：受光元件

具体实施方式

以下，虽然参照附图，对实施例进行详细说明。但本发明并不受实施例限制或局限，在实施例的说明中，为了使本发明的要点更清晰，在此省略对一些已知的性能和构成的具体说明。

以下，参照图1至图2，对根据一个实施例的成像光学器进行详细地说明。

成像光学器10由第1至第4透镜110、120、130、140所构成。在此，成像光学器10，从物体侧按顺序配置有第1透镜110、第2透镜120、第3透镜130、第4透镜140、以及滤光器150和受光元件160。

以下，在成像光学器10的说明中，“物体侧面”是指以光轴为基准，面向物体侧的透镜的面，因此，在图1和图2中表示左侧，且“上侧面”是指以光轴为基准，面向成像面的透镜的面，因此，在图中表示右侧面。

此外，开口光圈100位于第1透镜110的前方。

第1至第4透镜110、120、130、140具备正或负的折射率。在此，第1至第4透镜110、120、130、140具备1.4-2.0之间的折射率，第1至第4透镜110、120、130、140中至少一个以上的透镜具备1.61以上的折射率。