[发明专利]电极的制造方法及蓄电装置在审
| 申请号： | 201210317652.9 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102983335A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 野田耕生;栗城和贵;井上信洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/04;H01M10/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;李浩 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 制造 方法 装置 | ||
1.一种蓄电装置，包括：
电极，包括：
集电体；
所述集电体上的第一活性物质层；以及
第二活性物质层，在所述第一活性物质层上并且包含具有氧化铌的粒子和粒状活性物质。
2.根据权利要求1所述的蓄电装置，
其中所述具有氧化铌的粒子与所述粒状活性物质接触。
3.根据权利要求1所述的蓄电装置，
其中所述第一活性物质层包含选自硅、锡、铝和锗中的一种以上的材料。
4.根据权利要求1所述的蓄电装置，
其中所述粒状活性物质包含选自硅、锡、铝和锗中的一种以上的材料。
5.根据权利要求1所述的蓄电装置，
其中所述具有氧化铌的粒子的粒径为1nm以上且5μm以下。
6.一种蓄电装置，包括：
负极，包括：
集电体；
所述集电体上的第一活性物质层；以及
第二活性物质层，在所述第一活性物质层上并且包含具有氧化铌的粒子和粒状活性物质；
与所述负极接触的电解质；以及
隔着所述电解质与所述负极对置的正极。
7.根据权利要求6所述的蓄电装置，
其中所述具有氧化铌的粒子与所述粒状活性物质接触。
8.根据权利要求6所述的蓄电装置，
其中所述第一活性物质层包含选自硅、锡、铝和锗中的一种以上的材料。
9.根据权利要求6所述的蓄电装置，
其中所述粒状活性物质包含选自硅、锡、铝和锗中的一种以上的材料。
10.根据权利要求6所述的蓄电装置，
其中所述具有氧化铌的粒子的粒径为1nm以上且5μm以下。
11.一种电极的制造方法，包括如下步骤：
在集电体上形成第一活性物质层；
在所述第一活性物质层上涂敷包含粘结剂、导电助剂、具有氧化铌的粒子和粒状活性物质的浆料；以及
对所述浆料进行烧结，以在所述第一活性物质层上形成包含所述具有氧化铌的粒子和所述粒状活性物质的第二活性物质层，
其中利用溶胶-凝胶法形成所述具有氧化铌的粒子。
12.根据权利要求11所述的电极的制造方法，
其中所述第一活性物质层包含选自硅、锡、铝、和锗中的一种以上的材料。
13.根据权利要求11所述的蓄电装置，
其中所述粒状活性物质包含选自硅、锡、铝和锗中的一种以上的材料。
14.根据权利要求11所述的蓄电装置，
其中所述具有氧化铌的粒子的粒径为1nm以上且5μm以下。
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