[发明专利]大规模、大功率集成电路金属封装外壳的加工方法

权利要求书

1.大规模、大功率集成电路金属封装外壳的加工方法，所述外壳包括底座、外罩，底座由底板、若干玻璃坯、若干引线脚组成，底板上设有若干用来安置引线脚及玻璃坯的第一通孔，引线脚通过玻璃坯置于底板上的第一通孔中；

所述底座的加工方法包括以下工艺步骤：

（1）、利用机加工将金属板加工成有若干用来安置引线脚及玻璃坯的第一通孔的底板，然后对其表面进行喷砂，再进行退火、氧化；

（2）、将切割好的若干引线脚的切割断面磨削，然后进行退火、氧化；

（3）、利用模具制出若干带有第二通孔的玻璃生坯，进行排蜡、玻璃化后，得到玻璃坯；

（4）、利用石墨舟将步骤（2）切割、处理好的引线脚置于步骤（3）制得的玻璃坯的第二通孔中，然后再将玻璃坯置于步骤（1）制得的底板上的第一通孔中定位；

（5）、将步骤（4）石墨舟中安置好的引线脚、玻璃坯、底板烧结成型，制得底座；

（6）、将步骤（5）制得的底座进行酸洗、电镀；

所述外罩的加工方法为在冲床上将金属板引伸成型，然后切割端面到要求的高度尺寸，再磨平端面，然后进行高温退火，再经电镀即可。

2.根据权利要求1所述的大规模、大功率集成电路金属封装外壳的加工方法，其特征在于：步骤（1）所述的金属板加工采用在加工中心LMC-1000上进行机加工。

3.根据权利要求1所述的大规模、大功率集成电路金属封装外壳的加工方法，其特征在于：步骤（1）所述的喷砂的砂粒目数为100，砂粒压力为5MPa。

4.根据权利要求1所述的大规模、大功率集成电路金属封装外壳的加工方法，其特征在于：步骤（1）所述的退火、氧化在链式炉上一次完成，退火温度900℃，氧化温度600～650℃，时间2.5小时。

5.根据权利要求1所述的大规模、大功率集成电路金属封装外壳的加工方法，其特征在于：步骤（2）所述的退火、氧化在链式炉上一次完成，退火温度900℃，氧化温度600～650℃，时间2.5小时。

6.根据权利要求1所述的大规模、大功率集成电路金属封装外壳的加工方法，其特征在于：步骤（3）所述的排蜡、玻璃化在链式炉中进行，温度为650℃，时间为6小时。

7.根据权利要求1所述的大规模、大功率集成电路金属封装外壳的加工方法，其特征在于：步骤（5）所述的烧结过程中利用氮气为保护气、在链式烧结炉内进行，烧结步骤为：先以小于50℃/分钟的速度升温，当温度达到930～1010℃时保持15～20分钟，然后以50～100℃/分钟的速度降温至500~550℃保持10分钟，再以小于50℃/分钟的速度降温到室温。

8.根据权利要求1所述的大规模、大功率集成电路金属封装外壳的加工方法，其特征在于：所述外罩的高温退火在真空退火炉内完成，退火温度为900～1010℃；所述外罩电镀采用脉冲电镀3μm的镍层。

9.根据权利要求1所述的大规模、大功率集成电路金属封装外壳的加工方法，其特征在于：所述底板采用可伐合金板料4J29；所述引线采用可伐合金板料4J29；所述外罩采用冷轧低碳钢或可伐合金材料4J29。