[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210319067.2 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN103682107A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;钟铁涛;张振华 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于有机电致发光领域,具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是一种以有机材料为发光材料,能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能,在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。
有机电致发光器件的结构为三明治结构,在金属阴极和透明阳极之间夹有一层或多层有机薄膜。在含多层结构的器件中,两极内侧主要包括发光层、注入层及传输层。一般认为有机电致发光器件属于注入式发光,具体地说,主要有四个过程:(1)在外加电场作用下,载流子分别从阳极和阴极注入有机功能薄膜;(2)载流子在有机层中迁移;(3)正负载流子结合形成激子;(4)激子辐射复合发光。
电极注入载流子的能力是决定其发光亮度和发光效率的主要因素之一。通常电子注入层材料为锂盐和/或铯盐,但锂盐和/或铯盐需要与特定的电子传输层如三(8-羟基喹啉)铝(tri-(8-quinolinolato)aluminum,Alq3)等协同作用才能提高器件的性能,单独使用锂盐或铯盐作为电子注入材料时,制得的有机电致发光器件容易发光猝灭、性能差、效率低。以及电子注入层的厚度很薄,在工艺上难以控制。
发明内容
为克服上述现有技术的问题,本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。本发明提供的一种有机电致发光器件具有良好的发光效率和发光性能。本发明制备工艺易于控制,有利于器件的工业化生产,以及加工成本低廉,具有极为广阔的商业化发展前景。
一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、红色发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层,所述电子注入层的材质为碱金属氢氧化物、氟盐以及锂盐或铯盐掺杂到电子注入材料中形成的混合材料;所述电子注入材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI),所述碱金属氢氧化物在电子注入层中的掺杂质量分数为5-15wt%,所述氟盐在电子注入层中的掺杂质量分数为5-10wt%,所述锂盐或铯盐在电子注入层中的掺杂质量分数为20-40wt%。
电子注入层通过真空蒸镀法沉积在电子传输层上。
优选地,碱金属氢氧化物为LiOH、NaOH、KOH、RbOH或CsOH。
优选地,氟盐为AlF3、HfF4、ZrF4、BaF2、MgF2、CeF2或YF3。
优选地,锂盐为LiF、LiN3或Li3N,铯盐为CsF、CsN3或Cs3N。
优选地,电子注入层的厚度为20-40nm。
本发明中,电子注入层的材质为碱金属氢氧化物、氟盐以及锂盐或铯盐掺杂到电子注入材料中形成的混合材料,使碱金属氢氧化物、氟盐以及锂盐或铯盐可得到良好的性能互补及电荷平衡,降低了阴极功函数与有机层的LUMO能级之间的势垒,提高了电子注入效率,使空穴电子达到平衡,最终提高了有机电致发光器件的发光效率。并且,在保证发光效率的同时降低器件发光猝灭的几率,从而提高了有机电致发光器件的发光性能。
优选地,导电阳极基底可以为导电玻璃基板,选自铟锡氧化物玻璃(ITO)、掺氟的氧化锡玻璃(FTO)、掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(IZO)。
优选地,导电阳极基底的厚度为100nm。
空穴注入层通过真空蒸镀法沉积在导电阳极基底上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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