[发明专利]用于微光刻投影曝光设备的照射系统有效

专利信息
申请号: 201210319088.4 申请日: 2007-02-14
公开(公告)号: CN102799079A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: J.旺格勒;H.西克曼;K.怀布尔;R.沙恩韦贝尔;M.毛尔;M.德古恩瑟;M.莱;A.肖尔茨;U.施彭格勒;R.弗尔克尔 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 微光 投影 曝光 设备 照射 系统
【权利要求书】:

1.一种用于微光刻投影曝光设备的照射系统,包括:

a)光源,

b)光学积分器,其包括第一光学子元件(561X、561Y、562X、562Y)并且产生每个发射光束的多个二次光源(82),

c)聚光器,其使得所述光束在掩模面中重叠,

d)第一散射结构,其包括多个第二光学子元件,且在光传播方向上设置在所述光学积分器前面,其中每个第二光学子元件产生基本矩形角度分布,以及

e)第二散射结构,设置于所述光学积分器和所述聚光器之间。

2.根据权利要求1的照射系统,其中所述光学积分器(56)是复眼积分器,其包括第一积分器部件(561)和第二积分器部件(562),每个所述部件包括多个聚焦第一光学子元件(561X、561Y、562X、562Y)。

3.根据前述权利要求中任一项的照射系统,其中在垂直于所述照射系统(12)的光轴的方向上,所述第一光学子元件具有第一间距并且所述第二光学子元件具有第二间距。

4.根据前述权利要求中任一项的照射系统,其中所述第二光学子元件被设置为周期性阵列。

5.根据权利要求3或4的照射系统,其中所述第一间距大于所述第二间距。

6.根据前述权利要求中任一项的照射系统,其中所述第二散射结构包括设置成非周期性的阵列的光学子元件。

7.根据前述权利要求中任一项的照射系统,其中所述第一光学子元件在几何光通量增加的方向上具有第一间距d1<1000μm。

8.根据权利要求7的照射系统,其中d1<600μm。

9.根据权利要求7或8的照射系统,其中所述第二光学子元件在几何光通量增加的方向上具有第二间距d2<d1μm。

10.根据前述权利要求中任一项的照射系统,其中每个所述第二光学子元件包括微透镜。

11.根据权利要求10的照射系统,其中所述微透镜具有柱面形状。

12.根据权利要求1的照射系统,其中每个第二光学子元件产生变形的角度分布,使得所述几何光通量在正交方向上被增加到不同程度。

13.根据权利要求12的照射系统,其中在沿着所述投影曝光设备的扫描方向,相比于垂直于所述扫描方向的方向,所述几何光通量被增加到较小的程度。

14.根据权利要求13的照射系统,其中所述几何光通量沿着所述投影曝光设备(10)的扫描方向基本不增加。

15.根据权利要求2的照射系统,其中每个第二光学子元件与所述第一积分器部件的所述第一光学子元件、所述第二积分器部件的第一光学子元件一起,产生足够完全照射的角度分布。

16.根据权利要求1的照射系统,其中在所述第一散射结构和所述光学积分器之间的距离不同于所述第一散射结构的Talbot距离。

17.根据权利要求1的照射系统,其中所述第一光学子元件具有通过第一边界线限定的形状,所述第二光学子元件具有通过第二边界线限定的形状,并且其中,所述第一边界线和所述第二边界线形成在0.1°<α<89.9°之间的角度α。

18.根据权利要求1的照射系统,其中所述第二散射结构包括在第一方向上增加所述几何光通量的第一类型的光学子元件,以及在第二方向上增加所述几何光通量的第二类型的光学子元件。

19.根据权利要求18的照射系统,其中所述第一类型的光学子元件在所述投影曝光设备的扫描方向上产生高斯角度分布。

20.根据权利要求18到19中任一项的照射系统,其中所述第二类型的光学子元件垂直于所述投影曝光设备的扫描方向产生矩形角度分布。

21.根据权利要求18到20中任一项的照射系统,其中所述第一类型和第二类型的光学子元件被设置在共同支持件的相对侧上。

22.根据权利要求19的照射系统,其中所述高斯角度分布通过重叠多个不同宽度的基本矩形的角度分布而近似。

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